[发明专利]浅沟槽隔离结构、形成方法及研磨方法

权利要求书

1、一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底，所述衬底上已形成停止层；

在所述衬底上定义浅沟槽图形；

在所述已形成停止层的衬底内形成浅沟槽；

在所述停止层上及所述浅沟槽内沉积填充物；

对沉积所述填充物后的衬底进行平坦化处理，且处理时通过控制所述浅沟槽内的填充物与所述停止层的高度差来防止所述浅沟槽内的填充物出现凹陷。

2、如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述高度差为所述填充物比所述停止层低50至。

3、如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述平坦化处理利用化学机械研磨方法实现。

4、如权利要求3所述的形成方法，其特征在于：所述化学机械研磨的下压力在1.5至2.5psi之间。

5、如权利要求3所述的形成方法，其特征在于：所述化学机械研磨的转盘转速在60至70转/分钟之间。

6、如权利要求3所述的形成方法，其特征在于：所述化学机械研磨，具体包括步骤：

对衬底进行主研磨；

待检测到研磨终点后，对所述衬底进行过研磨。

7、如权利要求6所述的形成方法，其特征在于：所述过研磨时间为所述主研磨时间的8％至15％。

8、如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述停止层为氮化硅层。

9、如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述填充物为氧化硅。

10、如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述停止层厚度在500至之间。

11、如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述平坦化处理后，停止层的厚度减少20至。

12、如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述平坦化处理后，所述浅沟槽内的填充物厚度在3700至之间。

13、如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：在形成所述停止层之前，还形成了缓冲氧化层。

14、一种浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构形成于衬底上，所述衬底上具有停止层，所述浅沟槽隔离结构的浅沟槽形成于所述停止层及衬底内，且在所述浅沟槽内具有填充物，其特征在于：所述浅沟槽内的填充物与所述停止层之间的高度差受到限定，以防止所述浅沟槽内的填充物出现凹陷。

15、如权利要求14所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述高度差为所述填充物比所述停止层低50至。

16、如权利要求14或15所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述停止层为氮化硅层。

17、如权利要求14所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述填充物为氧化硅。

18、如权利要求14所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述停止层厚度在500至之间。

19、如权利要求14所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述浅沟槽内的填充物厚度在3700至之间。

20、如权利要求14所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：在所述衬底与所述停止层之间，还具有缓冲氧化层。

21、一种研磨方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底，所述衬底上具有停止层，且在所述停止层及衬底内已形成浅沟槽，在所述停止层上及浅沟槽内具有填充物；

将所述衬底吸附于化学机械研磨设备的研磨头下；

将吸附着所述衬底的所述研磨头移至转盘上；

对所述研磨头施加下压力；

令所述转盘及所述研磨头旋转，对所述衬底进行研磨；

控制所述浅沟槽内的填充物与所述停止层的高度差来防止所述浅沟槽内的填充物出现凹陷，当研磨至所述高度差时，停止所述研磨。

22、如权利要求21所述的研磨方法，其特征在于：所述高度差为所述填充物比所述停止层低50至。

23、如权利要求21或22所述的研磨方法，其特征在于：所述下压力在1.5至2.5psi之间。