[发明专利]电源电路及电源供给方法有效
申请号: | 200710094575.4 | 申请日: | 2007-12-19 |
公开(公告)号: | CN101464698A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | 张宁;王楠;古炯钧;周平 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G05F1/10 | 分类号: | G05F1/10 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 顾继光 |
地址: | 201206上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电源 电路 供给 方法 | ||
1.一种电源电路,其特征在于,包括电压嵌位电路,所述电压嵌位电路的电压输出端连接到一个带隙基准电路的电源输入端,所述带隙基准电路参考电压和参考电流的输出端连接到一个电压校准电路,所述电压校准电路的校准电压输出端也连接到所述带隙基准电路的电源输入端,所述电压嵌位电路包括两个高压PMOS管,分别为第一高压PMOS管和第二高压PMOS管,所述第二高压PMOS管的栅极接收电源重启信号,所述第二高压PMOS管的栅极通过一个时间延时部件连接到第一高压PMOS管的栅极,电源端连接到所述第一高压PMOS管的源极,所述第一高压PMOS管的漏极通过一个限流电阻连接到所述第二高压PMOS管的源极,所述第二高压PMOS管的漏极连接到一个第三PMOS管的源极,所述第三PMOS管的栅极、漏极,以及一个NMOS管的栅极、漏极都连接在一起,所述NMOS管的源极连接到一个PNP管的发射极,所述PNP管的基极和集电极都接地,所述第二高压PMOS管的源极为所述电压嵌位电路的输出端。
2.根据权利要求1所述的电源电路,其特征在于,所述电压校准电路的校准电压输出端通过一个二极管连接到所述带隙基准电路的电源输入端,所述二极管的阳极连接所述电压校准电路的校准电压输出端,所述二极管的阴极连接所述带隙基准电路的电源输入端。
3.根据权利要求1所述的电源电路,其特征在于,所述电压校准电路的校准电压输出端通过一个NMOS管连接到所述带隙基准电路的电源输入端,所述NMOS管的栅极和漏极连接到所述电压校准电路的校准电压输出端,所述NMOS管的源极连接到所述带隙基准电路的电源输入端。
4.一种如权利要求1至3中任意一项所述的电源电路实现的电源供给方法,其特征在于,先由电压嵌位电路为带隙基准电路提供一个粗略的电源电压,所述带隙基准电路在该粗略的电源电压下向电压校准电路输出参考电压和参考电流,所述电压校准电路接收该参考电压和参考电流后,向所述带隙基准电路输出校准电压,此后关闭电压嵌位电路,所述带隙基准电路不再由电压嵌位电路驱动,而由电压校准电路提供的校准电压作为电源电压驱动。
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