[发明专利]电源电路及电源供给方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电路，尤其是一种电源电路。本发明还涉及一种电源供给方法。

背景技术

现有的预调整电源电路是由一个可耐高压带隙基准电路产生一个参考电压和电流偏执，为低压带隙基准电路的启动提供参考电压和电流偏执。但由于电源电压的变化范围大，在整个温度范围内高压带隙基准电压的性能并不好，参考电压和电流偏执的变化范围大，电路设计难度很大，而且耐高压的带隙基准电路结构复杂，成本高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种电源电路，以及一种采用该电源电路实现的电源供给方法，能够采用较为简单的电路结构，降低电源电路的成本，并且实现电源的稳定输出，具有较快的响应速度。

为解决上述技术问题，本发明电源电路的技术方案是，包括电压嵌位电路，所述电压嵌位电路的电压输出端连接到一个带隙基准电路的电源输入端，所述带隙基准电路参考电压和参考电流的输出端连接到一个电压校准电路，所述电压校准电路的校准电压输出端也连接到所述带隙基准电路的电源输入端，所述电压嵌位电路包括两个高压PMOS管，分别为第一高压PMOS管和第二高压PMOS管，所述第二高压PMOS管的栅极接收电源重启信号，所述第二高压PMOS管的栅极通过一个时间延时部件连接到第一高压PMOS管的栅极，电源端连接到所述第一高压PMOS管的源极，所述第一高压PMOS管的漏极通过一个限流电阻连接到所述第二高压PMOS管的源极，所述第二高压PMOS管的漏极连接到一个第三PMOS管的源极，所述第三PMOS管的栅极、漏极，以及一个NMOS管的栅极、漏极都连接在一起，所述NMOS管的源极连接到一个PNP管的发射极，所述PNP管的基极和集电极都接地，所述第二高压PMOS管的源极为所述电压嵌位电路的输出端。

本发明电源供给方法的技术方案是，先由电压嵌位电路为带隙基准电路提供一个粗略的电源电压，所述带隙基准电路在该粗略的电源电压下向电压校准电路输出参考电压和参考电流，所述电压校准电路接收该参考电压和参考电流后，向所述带隙基准电路输出校准电压，此后关闭电压嵌位电路，所述带隙基准电路不再由电压嵌位电路驱动，而由电压校准电路提供的校准电压作为电源电压驱动。

本发明通过采用电压嵌位电路对带隙基准电路提供粗略电压的方式，大大简化了电路的结构，降低电源电路的成本，并且实现电源的稳定输出，还具有较快的响应速度。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明：

图1为本发明电源电路的电路图；

图2为本发明电源电路中输入信号的时序图。

具体实施方式

本发明提供了一种电源电路，如图1所示，包括电压嵌位电路，所述电压嵌位电路的电压输出端连接到一个带隙基准电路的电源输入端，所述带隙基准电路参考电压和参考电流的输出端连接到一个电压校准电路，所述电压校准电路的校准电压输出端也连接到所述带隙基准电路的电源输入端。

所述电压嵌位电路包括两个高压PMOS管，分别为第一高压PMOS管和第二高压PMOS管，第二高压PMOS管的栅极接收电源重启信号HRSTB，所述第二高压PMOS管的栅极通过一个时间延时部件DELAY连接到第一高压PMOS管的栅极，电源端VDD连接到所述第一高压PMOS管的源极，所述第一高压PMOS管的漏极通过一个限流电阻连接到所述第二高压PMOS管的源极，所述第二高压PMOS管的漏极连接到一个第三PMOS管的源极，所述第三PMOS管的栅极、漏极，以及一个NMOS管的栅极、漏极都连接在一起，所述NMOS管的源极连接到一个PNP管的发射极，所述PNP管的基极和集电极都接地，所述第二高压PMOS管的源极为所述电压嵌位电路的输出端。

图2所示为电源重启信号HRSTB和电源VDD的信号时序，电源VDD加电压之后，当升高到虚线所示的Vtrig之后，所述电源电路就可以开始工作了，在此之后外部电路提供的电源重启信号HRSTB变成高电平，使整个电源电路完成启动并正常工作。

所述电压校准电路的校准电压输出端通过一个二极管连接到所述带隙基准电路的电源输入端，所述二极管的阳极连接所述电压校准电路的校准电压输出端，所述二极管的阴极连接所述带隙基准电路的电源输入端。利用二极管的单向导电性，保证电流的输出方向。