[发明专利]晶体管相对精度模型方法

权利要求书

1.一种晶体管相对精度模型方法，其特征在于，包括如下步骤：测试不同器件尺寸，包括晶体管沟道的宽度W和晶体管沟道的长度L，测试不同偏压条件下相邻晶体管的电流值，测试大量晶圆上不同芯片单位的数据，并根据这些数据计算成对的芯片的电流差值ΔId，统计出ΔId的3sigma值；

对VTH0，Tox，K1，U0，RDSW，LINT，WINT七个模型参数进行模型化，其中

Param＝Param_org+Δparam；

其中Param是VTH0、Tox、K1、U0、RDSW、LINT、WINT七个模型参数，Param_org是VTH0、Tox、K1、U0、RDSW、LINT、WINT七个模型参数在普通模型中的值，Δparam是ΔVTH0、ΔTox、ΔK1、ΔU0、ΔRDSW、ΔLINT、 ΔWINT七个模型参数，A1，B1，C1，D1，E1，F1，G1为待定系数，M为并联晶体管数目，根据所测试的大量晶圆上不同芯片单位的数据对所述待定系数进行拟合；所述待定系数进行拟合的顺序为，

首先针对Large晶体管的实测数据，确定A1、B1、C1、D1；

然后针对narrow晶体管的实测数据，确定G1；

再针对short晶体管的实测数据，确定F1；

最后针对small晶体管的实测数据，确定E1。

2.根据权利要求1所述的晶体管相对精度模型方法，其特征在于，所述晶体管沟道的宽度W和晶体管沟道的长度L乘积的取值范围从设计规则最小值到10000um²。

3.根据权利要求1所述的晶体管相对精度模型方法，其特征在于，所述不同偏压条件为栅源电压差Vds和栅电压和开启电压之差Vgst的组合。