[发明专利]晶体管相对精度模型方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件SPICE(Simulation Program withIntegrated Circuit Emphasis)模型方法，尤其涉及一种晶体管相对精度模型方法。

背景技术

现有相对精度的方法基本是提供电特性关键参数与特征量的对应关系，关键参数包括阈值电压VTH和饱和电流Idsat，设计者根据实测数据进行估计。

还有一种方法是：测试反映该工艺相对精度的实验数据，并总结阈值电压之差ΔVt的标准偏差、饱和电流之差ΔIdsat的标准偏差与器件尺寸的关系。在普通SPICE器件模型的基础上，对其中的VTH0、TOX、U0参数进行修正，建立对应的相对精度模型；将相对精度模型与普通SPICE模型综合到一个模型文件中。

现有相邻晶体管相对精度模型一般是提供阈值电压VTH和饱和电流Idsat两点的相对精度模型，器件在其它偏压条件下的相对精度模型只能进行估计，这种方法不能满足模拟电路设计的精度要求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种晶体管相对精度模型方法，能够对不同器件尺寸、不同电压偏压条件下的电流标准偏差进行模型化，从而提高模拟集成电路设计的工作效率与准确性。

为解决上述技术问题，本发明晶体管相对精度模型方法的技术方案是，包括如下步骤

测试不同器件尺寸，包括晶体管沟道的宽度W和晶体管沟道的长度L，测试不同偏压条件下相邻晶体管的电流值，测试大量晶圆上不同芯片单位的数据，并根据这些数据计算成对的芯片的电流差值ΔId，统计出ΔId的3sigma值；

对VTH0，TOX，K1，U0，RDSW，LINT，WINT七个模型参数进行模型化，其中

Param＝Param_org+Δparam；

ΔVTH0=A1W·L·M;]]>

ΔTOX=B1W·L·M;]]>

ΔK1=C1W·L·M+1;]]>

ΔU0=D1W·L·M+1;]]>