[发明专利]固态成像装置无效
申请号: | 200710096043.4 | 申请日: | 2007-04-10 |
公开(公告)号: | CN101055885A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 中柴康隆 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 关兆辉;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
半导体衬底;
在所述半导体衬底中提供的光接收部分;以及
与要被成像的对象接触的接触表面,该接触表面位于所述半导体衬底的背面上;
其中所述接触表面为粗糙表面;以及
在所述半导体衬底中,对透射穿过与所述接触表面相接触的所述要被成像的对象的光进行光电转换,使得所述光接收部分接收通过所述光电转换而产生的电荷,从而获取所述要被成像的对象的图像。
2.根据权利要求1的固态成像装置,
其中所述要被成像的对象为手指;
所述接触表面具有交替排列的凹陷部分和凸起部分;以及
所述接触表面的所述凹陷和凸起部分的平均排列间距小于所述手指的指纹的凹陷和凸起部分的平均排列间距。
3.根据权利要求2的固态成像装置,
其中所述接触表面的所述凹陷和凸起部分的所述平均排列间距为所述手指的所述指纹的所述凹陷和凸起部分的所述平均排列间距的1/2或更小。
4.根据权利要求2的固态成像装置,
其中所述接触表面的所述凹陷和凸起部分的所述平均排列间距为500μm或更小。
5.根据权利要求2的固态成像装置,
其中所述接触表面的所述凸起部分的平均高度低于所述手指的所述指纹的所述凸起部分的平均高度。
6.根据权利要求2的固态成像装置,
其中提供了多个所述光接收部分;以及
所述接触表面的所述凹陷和凸起部分的所述平均排列间距小于所述光接收部分的平均排列间距。
7.根据权利要求6的固态成像装置,
其中所述光接收部分的所述平均排列间距小于所述手指的所述指纹的所述凹陷和凸起部分的所述平均排列间距。
8.根据权利要求2的固态成像装置,
其中所述接触表面的所述凹陷和凸起部分包括由于处理而产生的变形。
9.根据权利要求1的固态成像装置,进一步包括:
在所述半导体衬底的所述背面上提供的覆盖层;
其中所述半导体衬底的所述背面以及所述覆盖层的表面为粗糙表面;以及
所述接触表面位于所述覆盖层的所述表面上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司,未经恩益禧电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710096043.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:新型防二次污染聪明座
- 下一篇:治疗牛皮癣的中药擦剂
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的