[发明专利]固态成像装置无效

专利信息
申请号: 200710096043.4 申请日: 2007-04-10
公开(公告)号: CN101055885A 公开(公告)日: 2007-10-17
发明(设计)人: 中柴康隆 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 关兆辉;陆锦华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 固态 成像 装置
【说明书】:

本申请基于日本专利申请No.2006-108304,其内容通过引用在此被并入本文。

技术领域

本发明涉及一种固态成像装置,并且尤其涉及一种用于对指纹进行成像的固态成像装置。

背景技术

在日本特开专利公开No.2004-246586(专利文件1),No.2002-33469(专利文件2),No.2000-217803(专利文件3),以及No.2002-74345(专利文件4)中,能够找到用于对指纹进行成像的常规固态成像装置。这些文件中披露的固态成像装置包括接触表面,其上放置有手指,用于拍摄放置在该接触表面上的手指的指纹的图像。

除了上面引用的文件以外,与本发明相关的现有技术文献包括日本特开专利公开No.H03-244092(专利文件5),No.H11-53523(专利文件6),以及No.H10-269342(专利文件7)。

发明内容

但是,在上面的固态成像装置中,在拍摄图像之后,指纹的痕迹(残留指纹)遗留在接触表面上。这种残留指纹用肉眼就能看到,该残留指纹的存在会使得固态成像装置的用户由于担心他/她的指纹有可能被非法获取而感觉很不舒服。除此之外,在固态成像装置中,与手指直接接触的接触表面位于半导体衬底的背面,粘在手指上的杂质经常在半导体衬垫中扩散,从而降低了在相对侧面上提供的光接收部分以及MOSFET的性能。这就导致该固态成像装置的可靠性降低。

根据本发明,提供了一种固态成像装置,包括:半导体衬底;该半导体衬底中提供的光接收部分;与要被成像的对象接触的接触表面,其位于该半导体衬底的背面上;其中该接触表面为粗糙表面;以及在该半导体衬底中,对穿过与该接触表面接触的要被成像的对象的光进行光电转换,使得该光接收部分接收通过该光电转换而产生的电荷,从而获取要被成像的对象的图像。

在这样构成的固态成像装置中,该接触表面为粗糙表面。因此,在要被成像的对象,特别的就是手指,与该接触表面直接接触之后,与接触表面很平滑的情况不同,该残留指纹几乎无法遗留在接触表面上。还有,该接触表面的粗糙表面也使得很难通过肉眼就能识别该残留指纹,从而减轻用户不舒服的感觉。

进一步,执行表面处理工艺,例如机械抛光,用于使得该接触表面粗糙,由于该机械处理而招致接触表面的变形,其中该机械处理可以带来俘获金属等的非固有吸收(以下称为,EG)效果。该EG效果可以例如防止粘在手指上的杂质扩散到半导体衬底中,以及防止因此而降低在相对侧上提供的光接收部分和MOSFET的性能。因此,该粗糙表面防止了该固态成像装置的可靠性降低。

这样,本发明提供了一种固态成像装置,其能够减轻用户不舒服的感觉。还有,进行表面处理工艺,例如机械抛光,用于使得该接触表面光滑粗糙,其能够防止粘在手指上的杂质扩散到半导体衬底中,以及防止因此而降低在相对侧上提供的光接收部分和MOSFET的性能。

附图说明

本发明的上述和其他目标,优点和特征将会通过下面参照附图的说明而变得更加清晰,其中:

图1为根据本发明实施例的固态成像装置的横截面图;

图2为用于说明接触表面的凹陷和凸起部分的排列间距的横截面图;

图3为用于说明图1中所示的固态成像装置的操作的横截面图;以及

图4为根据该实施例的固态成像装置的变化的横截面图。

具体实施方式

现在将参照说明性实施例来描述本发明。本领域内的技术人员可以认识到的是,通过使用本发明的教导可以实现许多变化实施例,并且本发明并不仅限于用于说明目的的实施例。

下文中,将参照附图来详细描述根据本发明的固态成像装置的典型实施例。在附图中,相同的构件用相同的数字表示,并且不会重复对它的说明。

图1为根据本发明实施例的固态成像装置的横截面图。该固态成像装置1包括半导体衬底10以及光接收部分20。在该实施例中,该半导体衬底10为P型硅衬底。在该半导体衬底10的背面(与将在后面描述的互连层30相对)上提供有接触表面S1。在该半导体衬底10中,该固态成像装置1对穿过要被成像的对象的光进行光电转换,其中所述要被成像的对象与接触表面S1直接接触,并通过该光接收部分20来接收由该光电转换而产生的电荷,从而获取要被成像的对象的图像。

该接触表面S1为粗糙表面。换句话说,该接触表面1已经经历过了粗糙化处理,例如无光处理或消光(mat finishing,亚光)处理。可以通过表面处理过程例如机械抛光来进行该粗糙化过程。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司,未经恩益禧电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710096043.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top