[发明专利]膜图案的形成方法、有源矩阵基板的制造方法

权利要求书

1.一种膜图案的形成方法，是在由设于基板上的围堰划分的图案形成区域内配置功能液，以形成膜图案的方法，其特征在于，具有：

在基板上配置第一围堰形成材料，形成第一围堰层的工序；和

在所述第一围堰层上形成第二围堰层的工序，

所述第一围堰形成材料为有机材料，

所述第二围堰层由被覆所述第一围堰层的氟系树脂材料构成。

2.根据权利要求1所述的膜图案的形成方法，其特征在于，还具有：

在所述图案形成区域内配置第一功能液的工序；

使所述图案形成区域内的第一功能液干燥，形成第一干燥膜的工序；和

在所述第一干燥膜上配置第二功能液的工序，

使所述第一功能液干燥而形成的第一干燥膜的膜厚形成得比所述第一围堰层的厚度薄。

3.根据权利要求1或2所述的膜图案的形成方法，其特征在于，还具有：

在所述图案形成区域内配置功能液的工序；

使所述图案形成区域内的功能液干燥，形成干燥膜的工序；和

对所述围堰与所述干燥膜一并进行烧成的工序。

4.根据权利要求3所述的膜图案的形成方法，其特征在于，

在所述图案形成区域内层叠形成了多层干燥膜后，对该干燥膜与所述围堰一并进行烧成。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的膜图案的形成方法，其特征在于，

所述第二围堰层形成得比所述第一围堰层薄。

6.一种器件，其特征在于，具有：

利用权利要求1～5中任一项所述的形成方法在基板上形成的围堰、被该围堰包围的图案形成区域、形成于该图案形成区域的膜图案。

7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，

其作为栅电极具备形成于所述图案形成区域的膜图案。

8.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，

其作为源电极具备形成于所述图案形成区域的膜图案。

9.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，

其作为漏电极具备形成于所述图案形成区域的膜图案。

10.一种电光学装置，其特征在于，

其具备权利要求6～9中任一项所述的器件。

11.一种电子设备，其特征在于，

其具备权利要求10所述的电光学装置。

12.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，具有：

在基板上形成栅极布线的第一工序；

在所述栅极布线上形成栅极绝缘膜的第二工序；

隔着所述栅极绝缘膜，层叠半导体层的第三工序；

在所述栅极绝缘膜之上形成源电极与漏电极的第四工序；

在所述源电极与所述漏电极上配置绝缘材料的第五工序；和

在配置了所述绝缘材料的基础上形成像素电极的第六工序，

在所述第一工序、所述第四工序及所述第六工序的至少一个工序中采用权利要求1～5中任一项所述的膜图案的形成方法。

13.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，具有：

在基板上形成源电极与漏电极的第一工序；

在所述源电极与漏电极上形成半导体层的第二工序；

在所述半导体层上隔着栅极绝缘膜形成栅电极的第三工序；和

形成与所述漏电极连接的像素电极的第四工序，

在所述第一工序、所述第三工序及所述第四工序的至少一个工序中采用权利要求1～5中任一项所述的膜图案的形成方法。

14.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，具有：

在基板上形成半导体层的第一工序；

在所述半导体层上隔着栅极绝缘膜形成栅电极的第二工序；

形成经由形成于所述栅极绝缘膜的接触孔而与所述半导体层的源极区域连接的源电极、和与所述半导体层的漏极区域连接的漏电极的第三工序；和

形成与所述漏电极连接的像素电极的第四工序，

在所述第二工序、所述第三工序及所述第四工序的至少一个工序中采用权利要求1～5中任一项所述的膜图案的形成方法。