[发明专利]膜图案的形成方法、有源矩阵基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及膜图案的形成方法、有源矩阵基板的制造方法、器件、电光学装置及电子设备。

背景技术

一直以来公知有：在基板上层叠配置了由导体构成的薄膜(膜图案)的电路布线、覆盖电路布线的绝缘膜等薄膜和由半导体构成的薄膜而成的半导体装置。作为这种半导体装置中的薄膜的有效形成方法，公知液滴喷出法(喷墨法)，该方法是从液滴喷出头中喷出将薄膜材料等作为分散质而包含的功能液的液滴，使弹落的功能液干燥，除去分散剂，形成薄膜(例如参照专利文献1)。

在以液滴喷出法形成作为膜图案的薄膜时，通常形成划分膜图案的形成区域的围堰(bank)，向由该围堰划分而成为凹部的膜图案的形成区域喷出功能液。而且，通过使弹落在凹部内的形成区域上的功能液干燥，形成薄膜，从而形成膜图案。

利用这种方法，可以形成例如与底栅型的薄膜晶体管中的半导体层连接的源极布线、或漏极布线(膜图案)等。此时，在栅极绝缘膜上形成围堰，向由该围堰划分的作为凹部的区域喷出功能液，通过使该功能液干燥，从而成为与半导体层连接的源极布线或漏极布线。

然而，虽然希望以弹落的方式喷出到所述凹部内的功能液的液滴全部进入凹部内，但有时一部分会附着在围堰的上面。该情况下，为了使该液滴不会附着在围堰的上面而流入凹部内，需要预先使围堰的上面相对功能液呈现疏液性。在此，围堰上面的疏液化处理通常在将由抗蚀剂材料构成的围堰材料图案化为最终的围堰形状后，对其进行使用CF₄气体的等离子体处理(参照专利文献2)。

【专利文献1】特开平11-274671号公报

【专利文献2】特开2005-19955号公报

然而，在上述的现有技术中存在以下问题。

有时考虑提高耐热性而使用无机材料来形成围堰，但由于无机材料价格高，故膜图案形成所涉及的制造成本上升，再有，即使在使用无机材料形成膜图案的半导体装置中也存在导致成本增加的问题。

发明内容

本发明正是为了解决上述问题的发明，其目的在于提供一种可以有助于降低制造成本的膜图案的形成方法、有源矩阵基板的制造方法、器件、电光学装置及电子设备。

为了达到上述目的，本发明采用以下构成。

本发明的膜图案的形成方法，是在由设于基板上的围堰划分的图案形成区域内配置功能液，以形成膜图案的方法，其特征在于，具有：在基板上配置第一围堰形成材料，形成第一围堰层的工序；和在所述第一围堰层上形成第二围堰层的工序，所述第一围堰形成材料为有机材料，所述第二围堰层由被覆所述第一围堰层的氟系树脂材料构成。

因此，在本发明的膜图案的形成方法中，由于使用具有疏液性的氟系树脂材料来形成配置于上层侧的第二围堰层，故对于第二围堰层来说可以得到优越的疏液性。由此，可以将配置于图案形成区域内的功能液良好地限制在该区域内。再有，在本发明中，由于使用与无机材料相比价格低的有机材料来形成第一围堰层，故可以有助于降低制造成本。

再有，本发明也可以优选采用以下构成，即具有：在所述图案形成区域内配置第一功能液的工序；使所述图案形成区域内的第一功能液干燥，形成第一干燥膜的工序；和在所述第一干燥膜上配置第二功能液的工序，使所述第一功能液干燥而形成的第一干燥膜的膜厚形成得比所述第一围堰层的厚度薄。

由此，在本发明中，可以良好地适用于形成层叠结构的膜图案。

在形成层叠结构的膜图案时，为了在形成第一干燥膜后针对配置于其上面的第二功能液也能获得良好的润湿扩展性，优选使第一干燥膜的厚度比第一围堰层的厚度薄，对于第二功能液来说也可以利用助长第一围堰层的侧壁的润湿扩展的作用。

还有，在本发明中，优选采用具有以下工序的顺序：在所述图案形成区域内配置功能液的工序；使所述图案形成区域内的功能液干燥，形成干燥膜的工序；和对所述围堰与所述干燥膜一并进行烧成的工序。

由此，在本发明中可以省略仅烧成围堰的工序，可以实现膜图案形成工序中的处理时间的缩短，可以提高器件的制造效率。

进而，在本发明中优选采用以下顺序：在所述图案形成区域内层叠形成了多层干燥膜后，对该干燥膜与所述围堰一并进行烧成。

因此，在本发明中，即使在所形成的膜图案具有层叠结构的情况下也可以一并进行围堰的烧成与膜图案的烧成，可以提高膜图案形成工序的效率。

再有，在本发明中，也优选采用所述第二围堰层形成得比所述第一围堰层薄的构成。

由此，在本发明中，能够在图案形成区域内配置更多的功能液，即使为比较厚的膜图案，也可以容易且均匀地形成。