[发明专利]磁传感器和存储装置无效

专利信息
申请号: 200710096498.6 申请日: 2007-04-19
公开(公告)号: CN101114456A 公开(公告)日: 2008-01-30
发明(设计)人: 北岛政充 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/39 分类号: G11B5/39
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李辉
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 传感器 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种磁传感器,所述磁传感器具有基于从介质产生的磁通量的大小来获得信息的磁阻元件,所述磁传感器包括:

由磁性材料构成的两个电极层,所述两个电极层夹着所述磁阻元件,用于向所述磁阻元件施加电流;

至少一个屏蔽层,所述至少一个屏蔽层用于屏蔽所述磁阻元件以使其免受所述磁通量的影响,被布置在与所述电极层中的至少一个的面向所述磁阻元件的表面的相对侧;以及

至少一个绝缘层,所述至少一个绝缘层用于使所述磁阻元件与所述屏蔽层热绝缘,位于所述电极层中的所述至少一个与所述屏蔽层之间。

2.根据权利要求1所述的磁传感器,其中,所述屏蔽层被布置在与所述电极层的面向所述磁阻元件的表面的相对侧,并且

所述绝缘层位于所述电极层与所述屏蔽层之间。

3.根据权利要求1所述的磁传感器,其中,所述电极层中的所述至少一个位于所述至少一个屏蔽层与所述磁阻元件之间,所述电极层中的所述至少一个的宽度小于所述屏蔽层的宽度。

4.根据权利要求1所述的磁传感器,其中,所述电极层中的所述至少一个位于所述至少一个屏蔽层与所述磁阻元件之间,所述电极层中的所述至少一个的厚度小于所述屏蔽层的厚度。

5.一种存储装置,所述存储装置包括:

介质,其用于存储信息;和

磁头,其具有传感器,所述传感器用于基于从所述介质产生的磁通量的大小来获得所述信息,所述传感器具有:

由磁性材料构成的两个电极层,所述两个电极层夹着磁阻元件,

用于向所述磁阻元件施加电流;

至少一个屏蔽层,所述至少一个屏蔽层用于屏蔽所述磁阻元件

以使其免受磁通量的影响,被布置在与所述电极层中的至少一个的

面向所述磁阻元件的表面的相对侧;以及

至少一个绝缘层,所述至少一个绝缘层用于使所述磁阻元件与

所述屏蔽层热绝缘,位于所述电极层中的所述至少一个与所述屏蔽层之间。

6.根据权利要求5所述的存储装置,其中,所述电极层之间的间隙小于所述介质的用于记录信息的单位的宽度。

7.根据权利要求5所述的存储装置,其中,所述电极层中的所述至少一个位于所述至少一个屏蔽层与所述磁阻元件之间,所述电极层中的所述至少一个的宽度小于所述屏蔽层的宽度。

8.根据权利要求5所述的存储装置,其中,所述电极层中的所述至少一个位于所述至少一个屏蔽层与所述磁阻元件之间,所述电极层中的所述至少一个的厚度小于所述屏蔽层的厚度。

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