[发明专利]磁传感器和存储装置无效
申请号: | 200710096498.6 | 申请日: | 2007-04-19 |
公开(公告)号: | CN101114456A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 北岛政充 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11B5/39 | 分类号: | G11B5/39 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 存储 装置 | ||
技术领域
本发明涉及对来自磁盘的磁信息进行再现的磁传感器。
背景技术
要求磁盘装置增加其存储容量,并且已经增加了磁盘的记录密度。为了增加记录密度,必须减少磁盘的比特之间的区域以增加可记录的信号数量。然而,当比特之间的区域减小时,形成比特之间的区域的磁体的大小减小,于是,由该磁体产生的磁通量(magnetic flux)也减小。因此,除非降低磁头的飞行高度(flying height),否则无法将该磁通量提供给磁传感器。
当降低磁头的飞行高度时,容易使磁头的气垫面(air bearing surface)与磁盘接触。当使气垫面与磁盘接触时,会因此产生热。当由此产生的热被传导到例如磁传感器时,该磁传感器可能损坏,并且由此读取的信号会带有噪声,使得所读取信号的质量降低。
作为与磁传感器有关的现有技术文献,可以示例的方式提出日本特开第2000-215415号公报和日本特开第2002-026423号公报。
为了抑制热的产生,例如,可以构想出一种方法,其中,减小用作屏蔽层和电极两者并形成磁传感器的屏蔽电极层的宽度,以减小其与磁盘接触时的接触表面积。然而,当减小了屏蔽电极层的宽度时,用于屏蔽磁阻效应元件使其免受从磁盘产生的磁通量的影响的屏蔽效果会发生劣化。
发明内容
一方面是一种磁传感器,所述磁传感器具有基于从介质产生的磁通量的大小来获得信息的磁阻元件。所述磁传感器包括:由磁性材料构成的两个电极层,所述两个电极层夹着所述磁阻元件,用于向所述磁阻元件施加电流;至少一个屏蔽层,所述至少一个屏蔽层用于屏蔽所述磁阻元件以使其免受所述磁通量的影响,被设置为与所述电极层中的至少一个的面向所述磁阻元件的表面相对;以及至少一个绝缘层,所述至少一个绝缘层用于使所述磁阻元件与所述屏蔽层热绝缘,位于所述电极层中的所述至少一个与所述屏蔽层之间。
根据本发明,减小了所述电极层(其也被用作屏蔽层)的宽度,并且以其间设置有绝缘层的方式,将所述屏蔽层设置在上述电极层的面向所述磁阻效应元件的表面的相对侧。因此,即使在使磁头的气垫面与磁盘发生接触时,从电极层产生的热也较少,并且由于绝缘层的存在,所以从屏蔽层产生的热也不易被传导到磁阻效应元件。此外,除了电极层之外还设置有屏蔽层,因此可以提高屏蔽效果。
附图说明
图1是根据本发明的实施例的磁盘装置的立体图;
图2是示出了悬架、滑块以及磁头之间的位置关系的示意图;
图3是根据本发明的实施例1的磁头的横截面图;
图4是从记录介质侧观看的根据本发明的实施例1的磁头的图;
图5是示出了磁阻效应元件的结构的示意图;
图6是示出了钉扎层(pinned layer)的结构的示意图;
图7是根据本发明的实施例2的磁头的横截面图;
图8是从记录介质侧观看的根据本发明的实施例2的磁头的图;
图9是示出了磁头的横截面图;
图10是从记录介质侧观看的图9中的磁头的图;
图11是根据本发明的修改例的磁头的横截面图;以及
图12是从记录介质侧观看的根据本发明的修改例的磁头的图。
具体实施方式
在下文中将参照附图对本发明的实施例进行描述。
实施例1:
图1是磁盘装置的立体图。磁盘9包括磁信息并且由主轴电机112快速旋转。传动臂114设置有由不锈钢制成的悬架(suspension)115。此外,传动臂116通过轴116可旋转地固定于壳体118,并且传动臂116沿磁盘9的半径方向移动。因此,安装到悬架115的滑块119在磁盘9的上方移动,从而在轨道上执行对信息的记录和再现。在壳体118中,固定有用于检测再现信号的检测电路装置。该检测电路装置向磁头的读取部中的磁阻效应元件提供检测电流,并测量该磁阻效应元件的电压变化,以再现来自磁盘9的信息。
图2是示出了磁盘9、悬架115、滑块119以及磁头120之间的位置关系的示意图。滑块119被安装到悬架115从而形成头悬架组件。当磁盘9快速旋转时,空气被引入滑块119与磁盘9之间,使得滑块119悬浮。形成在滑块119前端的磁头120经由设置在悬架115和传动臂114上的绝缘导线而与检测电路装置电连接。为了读取记录在磁盘9上的信息,使用磁头120的磁阻效应元件。即,滑块119接收到来自磁盘9的记录轨道的漏磁场,然后使其可以流进磁阻效应元件中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710096498.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。