[发明专利]半导体集成电路

权利要求书

1.一种半导体集成电路，具有MOS晶体管，

该半导体集成电路具备：

功能模块，其具有多个由多个逻辑电路构成的逻辑锥；和

电位切换部，其至少与一个所述逻辑锥连接，控制所连接的逻辑锥的基板电位，

所述逻辑锥具有基板相互分离的结构，接受规定的输入信号而动作，输出与所述输入信号对应的信号，

所述电位切换部构成为：根据作为所述输入信号而由任意的逻辑锥输出的信号，将所连接的逻辑锥的基板电位切换为第一基板偏压供给电位以及比所述第一基板偏压供给电位浅的第二基板偏压供给电位中的任意一个。

2.一种半导体集成电路，具有MOS晶体管，

该半导体集成电路具备：

功能模块，其具有多个由多个逻辑电路构成的逻辑锥；和

电位切换部，其至少与一个所述逻辑锥连接，控制所连接的逻辑锥的电源电位，

所述逻辑锥具有电源相互分离的结构，接受规定的输入信号而动作，输出与所述输入信号对应的信号，

所述电位切换部构成为：根据作为所述输入信号而由任意的逻辑锥输出的信号，将所连接的逻辑锥的电源电位切换为第一电源电位以及比所述第一电源电位低的第二电源电位中的任意一个。

3.一种半导体集成电路，具有MOS晶体管，

该半导体集成电路具备：

功能模块，其具有多个由多个逻辑电路构成的逻辑锥；和

电位切换部，其至少与一个所述逻辑锥连接，控制所连接的逻辑锥的基板电位以及电源电位，

所述电位切换部构成为：在控制基板电位时，根据作为所述输入信号而由任意的逻辑锥输出的信号，将所连接的逻辑锥的基板电位切换为第一基板偏压供给电位以及比所述第一基板偏压供给电位浅的第二基板偏压供给电位中的任意一个；在控制电源电位时，根据作为所述输入信号而由任意的逻辑锥输出的信号，将所连接的逻辑锥的电源电位切换为第一电源电位以及比所述第一电源电位低的第二电源电位中的任意一个。

4.一种半导体集成电路，具有MOS晶体管，

该半导体集成电路具备：

功能模块，其具有多个由多个逻辑电路构成的逻辑锥；和

电位切换部，其至少与一个所述逻辑锥连接，控制所连接的逻辑锥的背栅电压，

所述逻辑锥具有可将背栅电压控制为相互不同的电压的结构，接受规定的输入信号而动作，输出与所述输入信号对应的信号，

所述电位切换部构成为：根据作为所述输入信号而由任意的逻辑锥输出的信号，将所连接的逻辑锥的背栅电压切换为第一背栅电压以及比所述第一背栅电压低的第二背栅电压中的任意一个。

5.根据权利要求2或3所述的半导体集成电路，其特征在于，

还具备电平移动器，其将作为所述输入信号而由所述逻辑锥输出的信号变换为适当的电压。

6.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，

所述电位切换部具备：

开关电路，其选择所述第一基板偏压供给电位以及所述第二基板偏压供给电位中的任意一个；和

开关控制电路，其根据作为所述输入信号而由任意的逻辑锥输出的信号，切换所述开关电路。

7.根据权利要求2所述的半导体集成电路，其特征在于，

所述电位切换部具备：

开关电路，其选择所述第一电源电位以及所述第二电源电位中的任意一个；和

开关控制电路，其根据作为所述输入信号而由任意的逻辑锥输出的信号，切换所述开关电路。

8.根据权利要求6或7所述的半导体集成电路，其特征在于，

所述开关电路包括MOS晶体管，

所述开关电路中的MOS晶体管的栅极绝缘膜厚度，比构成所述逻辑锥的MOS晶体管的栅极绝缘膜厚度更厚。

9.根据权利要求6或7所述的半导体集成电路，其特征在于，

所述开关电路和所述开关控制电路包括MOS晶体管，

所述开关控制电路中的MOS晶体管的栅极绝缘膜厚度，比所述开关电路所包含的MOS晶体管的栅极绝缘膜厚度薄。

10.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体集成电路，其特征在于，所述电位切换部构成为：当所连接的逻辑锥的动作完成时，进行所述切换。