[发明专利]保护带粘贴方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种将保护带粘贴在半导体晶片等由比较脆的材料制成的薄板状基板上的方法，特别是涉及为了不对基板造成损伤而粘贴保护带的改良方法。

背景技术

用于各种电子设备等的半导体芯片通常是用下述方法制造的：用既定分割线将圆盘状的半导体晶片正面划分成格子状的矩形区域，在这些区域的正面上形成IC或LSI等电子电路，然后研磨背面而使其变薄，并沿着既定分割线加以分割。利用背面研磨而进行的薄化加工通常以下述方法进行：在真空吸盘式的吸盘台上以将待研磨的背面露出的方式吸附、保持半导体晶片，边使研磨用的磨具旋转边将该磨具推压在半导体晶片的背面上。这种情况下，为了防止正面直接碰触吸盘台而损伤电子电路，在半导体晶片的正面上粘贴保护带。

但是，近年来电子设备的小型化、薄型化显著，随之要求半导体晶片也要越来越薄，这就需要使半导体晶片比以往更薄。但是，如果使半导体晶片变薄则其刚性降低，所以会产生其薄化后的工序中的操作变得困难或是容易碎裂的问题。尽管薄化时粘贴在正面的保护带对半导体晶片赋予刚性从而有助于可操作性的提高，但在薄化后进行伴随着加热的处理的情况下，保护带在耐热性这一点上是不利的。

鉴于此，从背面侧仅对形成有半导体芯片的圆形器件区域进行研磨来使其变薄，将其周围的环状外周剩余区域作为比较厚的加强部形成，通过这种加工来赋予刚性，使得操作容易进行。这种情况下，背面侧被研磨，所以厚的外周加强部向背面侧突出，半导体晶片的截面呈凹形。这种仅使外周部分较厚的技术例如在特开2004-281551号公报等中公开。

作为上述伴随着加热进行的处理，可以举出将金等的金属薄膜借助蒸镀或溅射等方法施加在半导体晶片的背面上的处理、从背面将离子注入到半导体晶片的内部而使杂质扩散的处理等。在利用保护带赋予刚性的情况下，只要该保护带没有足够的耐热性，就需要将处理温度设定得较低，因此会导致处理时间比通常要长的问题。关于这一点，如果形成外周加强部而不需要保护带，则不必考虑热的影响，能够顺利地进行加热处理。但是，该加热处理后，在最终阶段通过切削或研磨等将外周加强部去除时，有时出于保护正面的目的，而根据需要在半导体晶片的正面上再次粘贴保护带。作为将保护带粘贴在半导体晶片上的方法，例如在特开2005-223190号公报等中已经公开。

记载于特开2005-223190号公报中的保护带的粘贴方法是如下这样的方法：在一边利用辊将保护带按压在半导体晶片的正面上一边使辊滚动来粘贴保护带时，根据向基板上粘贴的宽度而改变辊的按压负荷，使得单位面积内的负荷在整个面内均匀，该方法能抑制翘曲或变形。但是，这种方法中，随着辊的滚动而改变辊的按压负荷的控制需要很高的技术，所以在实用上是比较困难的。而且，由于在粘贴宽度最窄的端部，按压负荷无限接近于零，所以向该端部粘贴的力无论如何都会变弱，从而可预测到存在下述问题，即，在该部分容易产生剥离，或是会产生端部的保护带变成上浮状态的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种保护带粘贴方法，根据该方法，能容易地使赋予基板正面的按压辊负荷有效分散，而在不导致翘曲或破损的情况下粘贴保护带。

本发明是一种保护带粘贴方法，将保护带粘贴到在正面形成有多个器件的基板的正面，其特征在于，包括：基板保持工序，将基板的背面吸附在吸附台上，将该基板在正面露出的状态下保持在吸附台上；保护带伸展工序，使保护带与吸附台上保持的基板的正面对置地伸展；按压工序，借助按压宽度至少为与基板直径同等的程度以上的按压辊，将保护带按压在基板的中央部分或者该中央部分的附近位置上；滚动工序，一边将按压辊按压在基板上，一边使按压辊滚动，而将保护带粘贴在基板的整个正面上。

本发明的要点在于，在实际将保护带粘贴到基板上的最初的按压工序中，将按压辊按压在按压宽度最大的基板中央部分或者该中央部分的附近位置上，在接下来的滚动工序中，使按压辊在基板整面范围内滚动而粘贴保护带。为了使按压辊在基板的整个面滚动，例如，可以举出下述顺序：使其从中央部分滚动到一端部而将保护带粘贴在正面的大致一半部分上，然后使其反向滚动到另一端部，而将保护带粘贴到整个面上。