[发明专利]利用延迟反转点技术检测充电效应的测试结构与方法

权利要求书

1.一种用以监控从半导体工艺步骤中所获得的硅衬底上所形成的测试结构中的电荷状态的方法，该方法包括：

在该测试结构上实施一第一电容-电压测量以获得一第一电容-电压量变曲线；

使该测试结构进入该半导体工艺步骤；

在该测试结构上实施一第二电容-电压测量以获得一第二电容-电压量变曲线；

根据该测量而检测在该一第一与一第二电容-电压量变曲线之間是否产生平带电压偏移；以及

当无平带电压偏移时，至少部分根据延迟反转点信息而监控该测试结构的该电荷状态。

2.如权利要求1所述的方法，还包括当电荷-电容量变曲线中产生平带电压偏移时，决定该测试结构的电荷状态是否是均匀的。

3.如权利要求1所述的方法，还包括根据该延迟反转点信息而检测边缘充电效应。

4.如权利要求1所述的方法，其中该测试结构包括栅极以及扩散区域，该方法还包括将探针直接置于该栅极与该扩散区域上，并利用该些探针监控该电荷状态。

5.如权利要求1所述的方法，其中该测试结构包括栅极、扩散区域、以及连接至该栅极与该扩散区域的内连接线，该方法还包括将探针置于该内连接线上并利用这些探针监控该电荷状态。

6.如权利要求1所述的方法，还包括根据该所监控的电荷状态而调整至少部分与该工艺步骤有关的参数。

7.如权利要求1所述的方法，还包括：

形成该测试结构，该测试结构包括衬底、形成于该衬底上的栅极、形成于该栅极与该衬底间的陷获层、以及形成于该衬底上并位于该栅极侧的扩散区域。

8.如权利要求7所述的方法，还包括当电荷-电容量变曲线中产生平带电压偏移时，决定该测试结构的电荷状态是否为均匀的。

9.如权利要求7所述的方法，还包括根据测得的该延迟反转点信息而检测边缘充电效应。

10.如权利要求7所述的方法，还包括将探针直接置于该栅极与该扩散区域上、并利用该些探针监控该电荷状态。

11.如权利要求1所述的方法，还包括：

形成多个该测试结构，该多个测试结构中的每一个测试结构包括衬底、形成于该衬底上的栅极、形成于该栅极与该衬底间的陷获层、以及形成于该衬底上并位于该栅极侧的扩散区域；

使该多个测试结构中的每一个测试结构进入该半导体工艺步骤；

实施电容-电压测量于该多个测试结构中的每一个测试结构，以对该多个测试结构中的每一个测试结构产生电容-电压量变曲线；

根据该测量而检测是否在该每一个测试结构所对应的该电容-电压量变曲线其中之一中有产生平带电压偏移；以及

当该些多个测试结构中的一个并无平带电压偏移时，根据至少部分的延迟反转点信息，而监控该些测试结构的该电荷状态。

12.如权利要求11所述的方法，还包括当该多个测试结构中的至少一个的电容-电压量变曲线中产生平带电压偏移时，决定该测试结构的电荷状态是否为均匀的。

13.如权利要求11所述的方法，还包括根据测得的该延迟反转点信息的偏移而检测该多个测试结构中的至少一个的边缘充电效应。

14.如权利要求11所述的方法，还包括针对该多个测试结构中的每一个测试结构，将探针直接置于该栅极与扩散区域上，并利用该些探针监控该电荷状态。