[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包含：

一第一屏蔽层位于一基材之上；

一第一介电层位于该第一屏蔽层之上；

一第一屏蔽线与一第二屏蔽线，位于该第一介电层之上，且该第一屏蔽线与该第二屏蔽线连接一第一电压，其中该第一屏蔽线与该第二屏蔽线分别藉由至少一第一导体连接该第一屏蔽层；以及

至少一导线，该至少一导线连接一第二电压，配置于该第一屏蔽线与该第二屏蔽线之间，其中该导线更包含一导线垫，该第一屏蔽线的端部更包含一第一传导线与一第一屏蔽垫连接于该第一传导线，该第二屏蔽线的端部更包含一第二传导线与一第二屏蔽垫连接于该第二传导线，以避免该第一屏蔽垫、该导线垫与该第二屏蔽垫之间出现互相干扰的情形，且该导线的长度等于该第一屏蔽线及该第二屏蔽线中至少其中之一的长度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于所述的第一导体包含至少一具有金属的中介窗、一传导线或上述的组合。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其还包含：

一第二介电层位于该第一介电层之上；以及

一第二屏蔽层，该第二屏蔽层位于该第一屏蔽线与该第二屏蔽线之上且位于第二介电层之上，且分别借由至少一第二导体连接该第一屏蔽线与该第二屏蔽线。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于所述的第一屏蔽线、第二屏蔽线、第一屏蔽层、第二屏蔽层、至少一第一导体以及至少一第二导体大致围绕该导线。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于所述的半导体结构需满足至少一个设计上的特征尺寸。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其还包含至少一辅助图案，邻近于该第一屏蔽线或该第二屏蔽线。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于所述的辅助图案包含至少一具有金属的辅助中介窗、一辅助导线或上述的组合。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于所述的第一电压为接地电压或一固定电压。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于所述的导线为一讯号线或一电源线。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于还包含：

一第二介电层位于该第一介电层之上；以及

一第三介电层位于该第二介电层之上，且其中该第一屏蔽线位于该第一介电层之上，该第二屏蔽线位于该第三介电层之上，以及该导线位于该第二介电层之上。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于还包含：

一第二介电层位于该第一介电层之上，其中该第一屏蔽线与该第二屏蔽线位于位于该第二介电层之上，且该导线位于该第一介电层之上。

12.一种半导体结构，其特征在于包含：

一第一屏蔽层位于一基材之上；

一第一介电层位于该第一屏蔽层之上；

一第一屏蔽线与一第二屏蔽线，位于该第一介电层之上，且该第一屏蔽线与该第二屏蔽线连接一第一电压，其中该第一屏蔽线与该第二屏蔽线分别藉由至少一第一导体连接该第一屏蔽层；

至少一导线，连接一第二电压，且配置于该第一屏蔽线与该第二屏蔽线之间，其中该导线更包含一导线垫；

一第二介电层位于该第一介电层之上；以及

一第二屏蔽层，位于该第二介电层之上，其中该第二屏蔽层分别藉由位于该第一屏蔽线与该第二屏蔽线之上的至少一第二导体，连接该第一屏蔽线与该第二屏蔽线，其中该第一屏蔽线的端部更包含一第一传导线与一第一屏蔽垫连接于该第一传导线，该第二屏蔽线的端部更包含一第二传导线与一第二屏蔽垫连接于该第二传导线，以避免该第一屏蔽垫、该导线垫与该第二屏蔽垫之间出现互相干扰的情形，且该导线的长度等于该第一屏蔽线及该第二屏蔽线中至少其中之一的长度。