[发明专利]半导体结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体结构，特别是涉及一种具有屏蔽讯号干扰效果的半导体结构。

背景技术

互补式金氧半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor；CMOS)技术目前广泛应用于集成电路上。随着互补式金氧半导体技术的提升，微型化的互补式金氧半导体元件广泛用于半导体工业，以提高集成电路中晶体管的密度，使获得更佳的工作效能。除了上述的互补式金氧半导体元件的微型化，多层连结技术(multiple-level interconnect)为另一种可用以提升晶体管密度的方法。随着上述微型化互补式金氧半导体元件与多层连结技术的使用，亦开始出现了金属线之间的干扰(crosstalk)现象。

图1A与图1B绘示了现有习知中的一种电路的剖面图与俯视图。图1A是为图1B中线段1A～1A的剖面图。

在图1A中，金属线110与120位于基材100上。线圈130与140分别代表了金属线110与120中的电流所感应的磁场。线圈130与140的箭号方向代表了感应磁场的方向。在图1B中，箭头指示150与160分别代表了金属线110与120的电流方向。由于金属线110与120的电流方向的不同，其所产生的磁场方向亦有所不同，例如金属线110所产生的磁场的方向为逆时针方向，而金属线120所产生的磁场的方向为顺时针方向。在此情形下，金属线110与120所产生的磁场将会互相干扰，一般称之为干扰现象。在此现象下，金属线110与120的电气性质将受到影响。当金属线110与120的间隙进一步缩小时，干扰现象将变得更为严重，此现象尤其常出现于高密度的集成电路上。

Mezhiba et al.在2002年的电子设计品质国际研讨会的论文集(Proceeding of the International Symposium on Quality Electronic Design 2002)中发表了一篇题目为“Inductive Characteristics of Power Distribution Grids inHigh Speed Integrated Circuits”的论文。在此论文中，一种摘录电感的程序FastHenry被用以测量电感。由FastHenry所得出的数据，可用以评估电流感应所产生的电感。

有鉴于上述现有的半导体结构存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型的半导体结构，能够改进一般现有的半导体结构，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服现有的半导体结构存在的缺陷，而提供一种新型的半导体结构，所要解决的技术问题是使其具有屏蔽讯号干扰效果，从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种半导体结构，包含：一第一屏蔽层位于一基材之上；一第一介电层位于该第一屏蔽层之上；一第一屏蔽线与一第二屏蔽线，位于该第一介电层之上，且该第一屏蔽线与该第二屏蔽线连接一第一电压，其中该第一屏蔽线与该第二屏蔽线分别藉由至少一第一导体连接该第一屏蔽层；以及至少一导线，该至少一导线连接一第二电压，配置于该第一屏蔽线与该第二屏蔽线之间，其中该导线更包含一导线垫，该第二屏蔽线的端部更包含一第一传导线与一第一屏蔽垫连接于该第一传导线，该第二屏蔽线的端部更包含一第二传导线与一第二屏蔽垫连接于该第二传导线，以避免该第一屏蔽垫、该导线垫与该第二屏蔽垫之间出现互相干扰的情形，且该导线的长度等于该第一屏蔽线及该第二屏蔽线中至少其中之一的长度。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的半导体结构，其中所述的第一导体包含至少一具有金属的中介窗、一传导线或上述的组合。

前述的半导体结构，其中还包含：一第二介电层位于该第一介电层之上；以及一第二屏蔽层，该第二屏蔽层位于该第一屏蔽线与该第二屏蔽线之上且位于第二介电层之上，且分别借由至少一第二导体连接该第一屏蔽线与该第二屏蔽线。

前述的半导体结构，其中所述的第一屏蔽线、该第二屏蔽线、该第一屏蔽层、该第二屏蔽层、该至少一第一导体以及该至少一第二导体大致围绕该导线，用以降低该导线的电感，使相对于其他未具有该至少一第一导体、该至少一第二导体、该第一屏蔽层以及该第二屏蔽层的导线，降低约10％或10％以上的电感。