[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

电介质材料，具有位于其中的至少一个开口，所述至少一个开口包括延伸并与底壁部分相接触的侧壁；

材料堆叠，其至少包括位于所述至少一个开口内的扩散阻挡材料，覆盖所述侧壁和所述底壁部分，其中所述材料堆叠在所述侧壁上的厚度大于在所述底壁部分的厚度；以及

导电材料，其位于所述至少一个开口内的所述材料堆叠上。

2.根据权利要求1的半导体结构，其中所述电介质材料是如下的至少一种：SiO₂、倍半硅氧烷、含有Si、C、O和H原子的C掺杂氧化物、或热固聚亚芳香醚。

3.根据权利要求1的半导体结构，其中所述至少一个开口是线开口、通路开口或直线与通路开口的组合。

4.根据权利要求1的半导体结构，其中所述扩散阻挡材料包括Ta、TaN、Ti、TiN、Ru、RuN、RuTa、RuTaN、W、WN或任何其它能够用作阻挡以防止导电材料扩散通过的材料。

5.根据权利要求1的半导体结构，其中所述材料堆叠进一步包括位于所述扩散阻挡材料顶部上的金属籽晶层。

6.根据权利要求5的半导体结构，其中所述金属籽晶层包含导电金属或金属合金。

7.根据权利要求6的半导体结构，其中所述金属籽晶层包含Cu、CuAl、CuIr、CuTa、CuRh或TaRu。

8.根据权利要求1的半导体结构，其中所述导电材料包括多晶Si、导电金属、任何包含至少一种导电金属的合金、导电金属硅化物或它们的组合。

9.根据权利要求1的半导体结构，进一步包括附加的材料堆叠，附加的材料堆叠至少包括另外一个扩散阻挡材料，该扩散阻挡材料位于所述电介质材料和在所述侧壁上的所述厚度大于在所述底壁部分的厚度的所述材料堆叠之间、所述至少一个开口内的侧壁上。

10.一种制造半导体结构的方法，包括：

提供电介质材料，具有位于其中的至少一个开口，所述至少一个开口包括延伸并与底壁部分相接触的侧壁；

形成材料堆叠，其至少包括位于所述至少一个开口内的扩散阻挡材料，覆盖所述侧壁和所述底壁部分，其中所述材料堆叠在所述侧壁的厚度大于在所述底壁部分的厚度；以及

在所述至少一个开口内在所述材料堆叠上形成导电材料。

11.根据权利要求10的方法，其中所述形成具有所述至少一个开口的所述电介质材料包括沉积、光刻和刻蚀。

12.根据权利要求10的方法，其中所述形成材料堆叠包括离子化比值可控等离子体沉积处理。

13.根据权利要求12的方法，其中所述离子化比值可控等离子体沉积处理包括提供大约50或更小的离子化金属与中性金属比值。

14.根据权利要求13的方法，其中所述离子化比值可控等离子体沉积处理包括调节如下的至少一个参数：DC功率、AC偏压和处理压力。

15.根据权利要求14的方法，其中所述离子化比值可控等离子体沉积处理包括将所述DC功率调节到小于15kW的数值。

16.根据权利要求14的方法，其中所述离子化比值可控等离子体沉积处理包括将所述AC偏压调节到低于1000W的数值。

17.根据权利要求14的方法，其中所述离子化比值可控等离子体沉积处理包括将所述处理压力调节到低于10mT的数值。

18.根据权利要求10的方法，其中所述材料堆叠进一步包括金属籽晶层。

19.根据权利要求10的方法，进一步包括在形成在所述侧壁上的厚度大于在所述底壁部分上的厚度的材料堆叠之前，形成附加的材料堆叠，其至少包括扩散阻挡材料。

20.根据权利要求19的方法，其中所述附加的材料堆叠通过沉积和溅射刻蚀加以形成，其中所述沉积包括使附加的材料堆叠在底壁部分上的厚度大于沿着侧壁的厚度的处理。