[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体结构的方法，该方法包括：

在上面形成有硬掩模层的层间电介质层内限定多条导线；

将导线的填充材料凹陷到低于所述层间电介质层的顶部的水平；

在所述凹陷的填充材料的顶部形成保护性绝缘层；

在所述硬掩模层内限定穹形图形，借此除去所述保护性绝缘层；

除去所述硬掩模层，以便将所述穹形图形转移到所述层间电介质层的顶部；和

在所述层间电介质层和所述导线上方形成帽层，其中所述帽层采取所述穹形图形的形式。

2.根据权利要求1的方法，其中所述穹形图形位于所述导线之间。

3.根据权利要求1的方法，其中所述在所述硬掩模层内限定穹形图形，借此除去所述保护性绝缘层的步骤包括各向同性地刻蚀所述硬掩模层和所述保护性绝缘层。

4.根据权利要求3的方法，其中所述除去所述硬掩模层，以便将所述穹形图形转移到所述层间电介质层的顶部的步骤进一步包括各向异性刻蚀所述硬掩模层。

5.根据权利要求1的方法，其中所述帽层具有比所述层间电介质层更大的介电常数。

6.根据权利要求5的方法，其中所述层间电介质层包括二氧化硅，而所述帽层包括氮掺杂碳化硅。

7.根据权利要求1的方法，其中所述在所述凹陷的填充材料的顶部形成保护性绝缘层的步骤进一步包括沉积牺牲绝缘材料，将该绝缘材料平面化到所述硬掩模层，从而在所述导线上形成所述绝缘材料的U形部分。

8.根据权利要求7的方法，其中所述绝缘材料包括二氧化硅。

9.一种半导体结构，包括：

多条导线，其形成于层间电介质层内；和

非平面帽层，其形成于所述层间电介质层和所述导线的上方，其中所述帽层在所述导线之间的位置处相对于所述导线抬高。

10.根据权利要求9的半导体结构，其中所述帽层在所述导线之间的所述位置处具有穹形形状。

11.根据权利要求9的半导体结构，其中所述层间电介质层包括二氧化硅，而所述帽层包括氮掺杂的碳化硅。