[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：半导体基体；异质半导体区域，其与所述半导体基体的第一主面接触且由带隙与所述半导体基体不同的半导体材料形成；栅电极，其隔着栅绝缘膜形成在靠近所述异质半导体区域与所述半导体基体的接合部分的一部分处；源电极，其连接到所述异质半导体区域；以及漏电极，其连接到所述半导体基体，

所述半导体装置包括：

静电保护无源元件，其隔着场绝缘膜形成在所述半导体基体上，

其中，由包括一个或多个第一层的半导体区域、一个或多个第二层的半导体区域、以及所述第一层的半导体区域和所述第二层的半导体区域相互垂直交叠且接触的接触区域的堆叠型半导体区域构成所述静电保护无源元件。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在同一层中，所述第一层的半导体区域和所述第二层的半导体区域均被分割成一个或多个预定的所希望的岛状区域，所分割的岛状区域相互电绝缘。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，介于所述静电保护无源元件和所述半导体基体之间的所述场绝缘膜的膜厚比所述栅绝缘膜的膜厚厚。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，由导电类型互不相同的材料形成所述第一层的半导体区域和所述第二层的半导体区域，并且所述接触区域形成PN结面。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第一层的半导体区域的导电类型与所述半导体基体的导电类型相同，所述第二层的半导体区域的导电类型是与所述半导体基体的导电类型不同的导电类型。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，一个或多个所述第一层的半导体区域和一个或多个所述第二层的半导体区域配置成位置上相互偏移，在相互垂直交叠以相互桥接的同时在所述接触区域中相互接触，从而在所述PN结面交替地方向相反的同时相互连接，并且形成为一个或多个双向齐纳二极管。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述双向齐纳二极管连接在连接所述栅电极的外部栅电极端子与所述源电极之间，所述双向齐纳二极管构成通过所述源电极对施加给所述外部栅电极端子的静电进行放电的静电放电保护元件。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，由相同导电类型的材料形成一个或多个所述第一层的半导体区域和所述第二层的半导体区域，并且一个或多个所述第一层的半导体区域和所述第二层的半导体区域形成这两种半导体区域在所述接触区域中相互接触的堆叠型电阻器。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述第一层的半导体区域和所述第二层的半导体区域的导电类型与所述半导体基体的导电类型相同。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，一个或多个所述第一层的半导体区域和所述第二层的半导体区域配置成位置上相互偏移，在相互垂直交叠以相互桥接的同时在所述接触区域中相互接触，从而形成为所述第一层的半导体区域和所述第二层的半导体区域交替串联连接的电阻器。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述电阻器连接在连接所述栅电极的外部栅电极端子与所述栅电极之间，并且所述电阻器构成用于保护所述栅电极的保护电阻器。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第一层的半导体区域和所述第二层的半导体区域中的形成所述保护电阻器之外的部分中，由导电类型互不相同的材料形成该部分的所述第一层的半导体区域和所述第二层的半导体区域，并且该部分的所述接触区域形成PN结面；

该部分的所述第一层的半导体区域和所述第二层的半导体区域配置成位置上相互偏移，在相互垂直交叠以相互桥接的同时在该部分的所述接触区域中相互接触，从而在所述PN结面交替地方向相反的同时相互连接，并且形成为一个或多个双向齐纳二极管；以及

所述双向齐纳二极管连接在连接所述栅电极的外部栅电极端子与所述源电极之间，所述双向齐纳二极管构成通过所述源电极对施加给所述外部栅电极端子的静电进行放电的静电放电保护元件。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，用于形成所述第一层的半导体区域的半导体材料由与形成所述异质半导体区域的材料相同的材料组成。