[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：预定导电类型的半导体衬底；异质半导体区，其与所述半导体衬底的第一主表面接触，所述异质半导体区包括能带隙与所述半导体衬底的能带隙不同的半导体材料；栅极，在与所述异质半导体区和所述半导体衬底之间的接合区接近的位置处通过栅绝缘层形成所述栅极；源极，其连接到所述异质半导体区；以及漏极，其连接到所述半导体衬底，

其中，所述异质半导体区包括与所述源极接触的接触部分，所述接触部分的至少一部分区域的导电类型与所述半导体衬底的导电类型相同，所述一部分区域的杂质浓度高于所述异质半导体区中被布置为通过所述栅绝缘层面对所述栅极的栅极面对部分的至少一部分区域的杂质浓度，

其中，所述栅极的导电类型与所述半导体衬底的导电类型不同。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述异质半导体区的夹在所述栅极面对部分与所述接触部分之间的区域的至少一部分的导电类型与所述接触部分的导电类型相同，且形成杂质浓度比所述异质半导体区中的所述栅极面对部分的杂质浓度高的导电部分。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在被布置为从所述接触部分开始直到所述栅极的外围部分正下方的整个区域中形成所述异质半导体区中的所述导电部分。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，与所述源极接触的所述接触部分的至少一部分区域通过所述接触部分的与所述半导体衬底的所述第一主表面不平行的表面与所述源极接触。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述异质半导体区的位于所述接触部分下方且与所述半导体衬底接触的区域的至少一部分的导电类型与所述半导体衬底的导电类型不同。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括包含以相邻区的导电类型和/或杂质浓度彼此不同的方式注入的杂质的多个区域，所述多个区域位于所述异质半导体区的位于所述接触部分的下方且从所述接触部分开始向下直到与所述半导体衬底接触的区域的至少一部分中。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述异质半导体区的位于所述接触部分下方且与所述半导体衬底接触的区域的所述至少一部分与所述源极接触。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括电场限制区，所述电场限制区形成在所述半导体衬底的所述第一主表面侧的一部分中，所述电场限制区被配置为限制所述漏极对所述半导体衬底与所述异质半导体区之间的接合区施加的漏极电场。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，由导电类型与所述半导体衬底的导电类型不同的半导体、高阻体和绝缘体中的任意一种形成所述电场限制区。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体衬底的所述第一主表面侧，在与所述异质半导体区接触的区域的一部分处、和/或在通过所述栅绝缘层面对所述栅极的区域的一部分处形成所述电场限制区。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括导电区，所述导电区形成在所述半导体衬底的第一主表面侧的一部分处，所述导电区的杂质浓度高于所述半导体衬底的杂质浓度。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括在所述半导体衬底的所述第一主表面中开凿的沟槽，从而通过所述栅绝缘层将所述栅极布置在所述沟槽内。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体衬底由碳化硅、氮化镓和金刚石中的任意一种材料制成。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述异质半导体区由单晶硅、多晶硅、非晶硅、锗、锗硅和砷化镓中的任意一种材料制成。