[发明专利]用于精细电路形成的印刷电路板的制造方法无效

专利信息
申请号: 200710098177.X 申请日: 2007-04-20
公开(公告)号: CN101072472A 公开(公告)日: 2007-11-14
发明(设计)人: 李春根;罗承铉;李相汶;李政祐;郭正福;赵在春;金致成 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H05K3/26 分类号: H05K3/26;H01L21/00;H01L21/31;H01L21/66
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 章社杲;李丙林
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 用于 精细 电路 形成 印刷 电路板 制造 方法
【说明书】:

相关申请的交叉参考

本申请要求于2006年5月9日提交的题为“用于精细电路形成的印刷电路板的制造方法”的韩国专利申请第10-2006-0041518号的优先权,其全部内容以引用方式并入本申请中。

技术领域

本发明一般地涉及一种用于精细电路形成的印刷电路板(PCB)的制造方法,更具体地,本发明涉及一种用于精细电路形成的PCB的制造方法,在电路形成技术中,就平坦化(planarization)技术而言,所述方法可以用于通过持续地进行低费用的机械抛光和化学蚀刻来经济地实现高度可靠的精细电路图案,取代常见的昂贵的工艺,如,CMP(化学机械抛光)。

背景技术

随着最近电子工业的快速发展,在电子装置和PCB领域已经开发了各种技术。尤其是,依据电路图案形成趋向于减少安装面积并且提高容量和功能,用于形成精细电路的技术已经多样化并且迅速发展。

作为平坦化技术,在电路形成技术中,一种新型抛光工艺,称为CMP(其中机械去除工艺和化学去除工艺被结合在单一的工艺中)在二十世纪八十年代末由美国IBM公司想到。CMP是这样的工艺,当在亚微米规模上制造芯片时,必须进行这种工艺。此外,ILD(层间介质)CMP和金属CMP应当被持续施加于装置的层的所有表面,并且CMP在均匀地平坦化每层中起着主要作用,以便确保三维形状。CMP是一种抛光工艺,其中机械过程和化学过程同时进行,并且相互影响。

本申请中的平坦化技术主要依赖于CMP工艺。例如,美国专利第5196353号披露了一种利用CMP工艺的平坦化技术。

在这点上,下面根据常见技术并参照图1A和1B,描述了用于平坦化的CMP工艺及其装置。

在CMP工艺期间,通过衬垫12、24和浆料13、28对薄片11、26进行抛光。具有附着于其的衬垫12、24的抛光台简单地来回移动,头部25可以以预定压力展示挤压21同时进行旋转23和摇动22。在表面张力下或真空中将薄片12、26置于头部25。由于头部25的自载荷和通过头部的挤压21,薄片11、26的表面与衬垫12、24接触,而作为加工液体的浆料13供应入接触表面之间的细小缝隙15(该衬垫的孔),以便通过浆料13内的抛光颗粒和衬垫12的表面突出物14实现机械去除作用,并且通过浆料13内的化学成分实现化学去除作用。

在CMP工艺中,由于施加于薄片11、26和衬垫12、24之间的挤压力,该装置在其突出物的上部与衬垫形成接触。这样的部分(压力专门地施加于其上)可以具有相对较高的表面去除率。因此,当该工艺进行时,这些突出物在其整个区域上被减少和均匀地去除。

虽然就物质去除率(MRR)、厚度均一性、以及表面质量而论,CMP可以表现出有利的性能,但是其限制在于昂贵的工艺并且不适用于大面积应用。

发明内容

为了避免相关领域中遇到的问题,本申请的发明人对制造用于精细电路形成的PCB的方法进行的深入和彻底研究导致新型平坦化技术的发展,从而产生了本发明,上述新型平坦化技术是便宜的并且可以容易地应用于大面积,由此可以取代传统的昂贵的平坦化工艺。

因此,本发明的一个目的是提供一种在减少的加工时间内利用便宜的平坦化技术来制造用于精细电路形成的PCB的方法。

本发明的另一目的在于提供一种制造用于精细电路形成的PCB的方法,可以预期其与压印工艺联用时会表现出协同效应。

本发明的又一目的在于提供一种适于大面积应用的制造用于精细电路形成的PCB的方法。

为了实现上述目的,本发明提供了一种制造用于形成精细电路的PCB的方法,包括:(a)提供印刷电路板,包括具有用于电路形成的负像图案(negative pattern)的介质(dielectric)层,其包含通孔(via hole)和线路,形成在其至少一个表面上;(b)在所述电介质层上形成金属层,以便所述金属层在加载到所述电介质层的负像图案上时在所述电介质层上过厚地形成;(c)通过机械抛光去除过度地形成在所述电介质层上的部分金属层;以及(d)通过化学蚀刻去除形成在所述电介质层上的过多金属层的其它部分,由此形成电路。

因此,优选进行所述机械抛光直到形成在所述电介质层上的过度金属层具有0.1~20μm的厚度。

优选以0.1~20μm/min的蚀刻速度进行化学蚀刻。

可以利用打磨抛光(buffing)、砂带抛光、磨光(polishing)、或其组合进行所述机械抛光。

优选通过压印工艺形成电介质层的负像图案。

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