[发明专利]一种可修复的像素结构有效
申请号: | 200710099778.2 | 申请日: | 2007-05-30 |
公开(公告)号: | CN101315505A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 赵继刚;金基用;徐宇博 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 修复 像素 结构 | ||
1、一种可修复的像素结构,包括:栅线和数据线,栅线和数据线交叉定义一个像素单元,每一像素单元包括:薄膜晶体管器件和透明像素电极,其特征在于:所述薄膜晶体管的沟道旁边形成有用于在所述沟道发生缺陷时启用的备用的源电极、备用的漏电极和备用的沟道,所述备用的源电极为所述薄膜晶体管的源电极,所述备用的漏电极形成在所述薄膜晶体管的源电极靠近所述透明像素电极的一侧。
2、根据权利要求1所述的可修复的像素结构,其特征在于:所述备用的漏电极的部分位于像素电极之下。
3、根据权利要求1所述的可修复的像素结构,其特征在于:所述薄膜晶体管的沟道为U型。
4、根据权利要求3所述的可修复的像素结构,其特征在于:所述备用的沟道为一字型。
5、根据权利要求1至4任一所述的可修复的像素结构,其特征在于:所述备用的源电极和备用的漏电极与所述数据线、所述薄膜晶体管的源电极和漏电极为一次光刻工艺中形成的相同材料部分。
6、根据权利要求5所述的可修复的像素结构,其特征在于:所述数据线与所述薄膜晶体管的源电极为一体结构。
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