[发明专利]芸香科花椒属植物单面针的人工快速繁殖方法有效

专利信息
申请号: 200710100304.5 申请日: 2007-06-07
公开(公告)号: CN101057559A 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 王平;左之文;马英姿;颜利玲 申请(专利权)人: 株洲千金药业股份有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00;C12N5/04;A01G31/00
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 代理人: 王朋飞
地址: 412003湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 芸香 花椒 植物 单面 人工 快速 繁殖 方法
【权利要求书】:

1、芸香科花椒属植物单面针的人工快速繁殖方法,包括如下步骤:将单面针离体胚初代培养后,依次进行继代培养、壮苗及生根培养和炼苗及移栽;其中,所述初代培养的培养基为MS固体培养基,培养40~60天,培养基中添加浓度为1~5mg/L的细胞分裂素和浓度为0.1~0.6mg/L的生长素,所述细胞分裂素为6-BA或者KT,所述生长素为NAA或者IBA;

所述继代培养的培养基为MS+6-BA 0.5mg/L+NAA 0.04mg/L+生物素1.0mg/L,培养温度23~27℃,光强度30~40μmol·m-2·s-1,光照时间12h·d-1,培养40~60天;

所述壮苗培养基为:MS、ZT 2.0mg/L和NAA 0.2mg/L,进行壮苗培养后,以1/4MS并添加IBA 0.3mg/L和NAA 0.05mg/L为生根培养基,培养温度23~27℃,光强度30~40μmol·m-2·s-1,光照时间12h·d-1,培养30~40天。

2、如权利要求1所述的人工快速繁殖方法,其特征在于,在初代培养前对离体胚用0.1%氯化汞消毒处理8分钟,并且其中所述的细胞分裂素为6-BA,浓度为1mg/L;所述生长素为NAA,浓度为0.4mg/L。

3、如权利要求1所述的方法,其特征在于,移栽的方法是:取组培苗洗去根部培养基,将根短剪,并去掉靠近根部的叶,消毒,将培养基质上做上与根大小相适应的小孔,将根插入,压实基质,移入大棚培养。

4、如权利要求3所述的方法,其特征在于,移入大棚后培养温度控制在20~30℃,湿度控制在80%。

5、如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述的基质为按体积比1∶3的泥炭土和珍珠岩混合物,或按体积比为2∶1.5∶1的糠壳灰、黄泥和细沙混合物。

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