[发明专利]减少存储元件间耦合效应的非易失性存储设备和相关方法

权利要求书

1.一种操作非易失性存储设备的方法，其中，所述非易失性存储设备包括存储器阵列，所述存储器阵列包括第一子存储器阵列、第二子存储器阵列、和母线，所述第一子存储器阵列包括多个单元串和分别地连接于所述多个单元串的多个偶数和奇数位线，所述第二子存储器阵列包括多个单元串和分别地连接于所述多个单元串的多个偶数和奇数位线，所述母线在所述第一子存储器阵列和所述第二子存储器阵列之间沿列方向延伸，所述方法包括：

接收要被编程的页数据；以及

把与所述页数据相对应的位线电压同时施加到所述第一子存储器阵列中的多个偶数和奇数位线，以在所述第一子存储器阵列中的多个单元串中，对所述页数据进行编程。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在第一程序验证操作中，验证在与所述第一子存储器阵列所包括的偶数位线相连接的单元串中编程的所述页数据；以及

在不同于所述第一程序验证操作的时间进行的第二程序验证操作中，验证在与所述第一子存储器阵列所包括的奇数位线相连接的单元串中编程的所述页数据。

3.一种对非易失性存储设备进行编程的方法，所述非易失性存储设备包括第一子存储器阵列、第二子存储器阵列、连接于第一和第二子存储器阵列的多条字线、和在第一子存储器阵列和第二子存储器阵列之间沿列方向延伸的母线，所述方法包括：

施加第一工作电压到在所述多条字线中的所选字线上，并施加第二工作电压到在所述多条字线中的所有未选字线上；以及

通过同时将数据编程到所述第一子存储器阵列所包括并与所述所选字线相连接的所有存储单元，进行第一程序操作。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述母线被配置用于施加电压到其中形成多个存储单元的所述第一和第二子存储器阵列的相应区域。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述母线包括与在所述第一子存储器阵列和所述第二子存储器阵列之间形成的虚设单元串相连接的虚设位线。

6.一种非易失性存储设备，包括：

第一子存储器阵列，包括分别地与多个第一位线相连接的多个单元串；

第二子存储器阵列，包括分别地与多个第二位线相连接的多个单元串；

母线，形成在第一子存储器阵列和第二子存储器阵列之间；

页缓冲器，包括多个数据存储元件；以及

开关块，被配置用于响应于至少一个控制信号，进行第一开关操作，以同时连接所述多个数据存储元件的第一子集和所有所述相应的第一位线，并进行第二开关操作，以同时连接所述多个数据存储元件的第二子集和所有所述相应的第二位线。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储设备，其中，所述开关块包括：

多个第一开关，分别地连接在所述相应的第一位线和所述多个数据存储元件的第一子集之间；以及

多个第二开关，分别地连接在所述相应的第二位线和所述多个数据存储元件的第二子集之间。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储设备，还包括控制信号产生电路，被配置用于产生至少一个控制信号，以进行所述第一开关操作和所述第二开关操作。

9.根据权利要求6所述的非易失性存储设备，其中，所述母线被配置用于施加电压到其中形成所述相应的第一和第二子存储器的单元串的存储单元的所述第一和第二子存储器阵列的相应区域。

10.一种非易失性存储设备，包括：

存储器阵列，包括第一子存储器阵列、第二子存储器阵列、和至少一条母线，所述第一子存储器阵列包括分别地与多个第一位线相连接的多个单元串，所述第二子存储器阵列包括分别地与多个第二位线相连接的多个单元串，所述至少一条母线安排在所述第一子存储器阵列和所述第二子存储器阵列之间；

页缓冲器，包括多个第一数据存储元件和多个第二数据存储元件；以及

开关块，被配置用于响应于至少一个第一控制信号，进行第一开关操作，以同时连接所述第一数据存储元件和所述相应的第一位线，还被配置用于响应于至少一个第二控制信号，进行第二开关操作，以同时连接所述第二数据存储元件和所述相应的第二位线。