[发明专利]具有提高的信噪比的低聚物探针阵列及其制造方法无效
申请号: | 200710100990.6 | 申请日: | 2007-05-08 |
公开(公告)号: | CN101067605A | 公开(公告)日: | 2007-11-07 |
发明(设计)人: | 夏政焕;池圣敏;金京善;金嫒善 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64;G01N33/52;C12Q1/68 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 黄启行;陆锦华 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 提高 物探 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种低聚物探针阵列,包括:
衬底;
在衬底上或在衬底中形成的多个探针单元有源区,该多个探针单 元有源区的每一个具有基本上平坦的表面;
具有自己的序列的至少一个低聚物探针,该至少一个低聚物探针 与所述多个探针单元有源区的每一个的基本上平坦的表面耦合;
限定探针单元有源区并且没有用于与表面上的低聚物探针耦合的 官能团的探针单元隔离区;以及
填充到探针单元有源区之间限定区的填料,
其中,所述探针单元有源区被所述探针单元隔离区物理地分离, 并且所述多个探针单元有源区包括能够与所述低聚物探针耦合的官能 团,
其中,所述多个探针单元有源区是在衬底上形成的层的图形,所 述衬底包括通过衬底的局部氧化形成的LOCOS氧化层,或填充衬底中 的沟槽的沟槽型有源区。
2.权利要求1的低聚物探针阵列,其中该多个探针单元有源区包 括能与低聚物探针耦合的官能团,以及其中,一些官能团被耦合到低 聚物探针,以及其他官能团通过封端被去激活。
3.权利要求2的低聚物探针阵列,其中该官能团选自由羟基、醛 基、羧基、氨基、酰胺基、硫醇基、卤基以及磺酸基构成的组。
4.权利要求1的低聚物探针阵列,其中该探针单元隔离区的表面 包括硅酮衬底或透明衬底的露出表面。
5.权利要求1的低聚物探针阵列,其中该探针单元隔离区的表面 是阻挡层的表面,该阻挡层被布置在衬底的上表面上并具有防止低聚 物探针耦合的性能。
6.权利要求1的低聚物探针阵列,其中该探针单元隔离区的表面 是填料的表面,该填料被填充到探针单元有源区之间限定的区域中并 具有防止低聚物探针耦合的性能。
7.权利要求1的低聚物探针阵列,其中该探针单元隔离区的表面 是阻挡层的表面,该阻挡层被布置在填充到探针单元有源区之间限定 的区域中的填料上并具有防止低聚物探针耦合的性能。
8.权利要求1的低聚物探针阵列,其中该低聚物探针经由连接器 耦合到探针单元有源区。
9.一种制造低聚物探针阵列的方法,该方法包括:
提供一衬底;
在该衬底上或衬底中形成具有基本上平坦表面的多个探针单元有 源区,该多个探针单元有源区被探针单元隔离区限定,而没有用于耦 合低聚物探针的官能团;
形成填充到探针单元有源区之间限定区的填料;以及
将该低聚物探针耦合到多个探针单元有源区的每一个的基本上平 坦的表面,其中每个探针单元有源区被耦合到具有其自己的序列的低 聚物探针,
其中,所述探针单元有源区被所述探针单元隔离区物理地分离, 并且所述多个探针单元有源区包括能够与所述低聚物探针耦合的官能 团,
其中,形成多个探针单元有源区包括:通过衬底的局部氧化形成 LOCOS氧化层,或通过形成填充衬底中的沟槽的沟槽型有源区,在衬 底上形成层的图形。
10.如权利要求9的方法,其中形成多个探针单元有源区包括,形 成探针单元有源区,以包括能与低聚物探针耦合的官能团,其中,一 些官能团被耦合到低聚物探针,以及其他官能团通过封端被去激活。
11.如权利要求10的方法,其中该官能团是选自由羟基、醛基、 羧基、氨基、酰胺基、硫醇基、卤基以及磺酸基构成的组的至少一个 基团。
12.如权利要求9的方法,其中该探针单元隔离区的表面包括硅酮 衬底或透明衬底的露出表面。
13.如权利要求9的方法,其中该探针单元隔离区的表面是阻挡层 的表面,该阻挡层被布置在衬底的上表面上并具有防止低聚物探针耦 合的性能。
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