[发明专利]具有提高的信噪比的低聚物探针阵列及其制造方法无效
申请号: | 200710100990.6 | 申请日: | 2007-05-08 |
公开(公告)号: | CN101067605A | 公开(公告)日: | 2007-11-07 |
发明(设计)人: | 夏政焕;池圣敏;金京善;金嫒善 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64;G01N33/52;C12Q1/68 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 黄启行;陆锦华 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 提高 物探 阵列 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本公开涉及一种低聚物探针阵列,更具体,涉及一种具有提高的 信噪比(下面,称为“SNR”)的低聚物探针阵列及其制造方法。
背景技术
低聚物(oligomer)探针阵列是已被广泛地用于基因表达谱、基因 分型、诸如单个-核苷酸多态(SNP)的突变或多态的探测、蛋白质或 缩氨酸分析、潜在药物筛选、新药物的研制和制备等的工具。
当前可广泛地利用的低聚物探针阵列包括使用光(例如,UV)照 射,激活衬底的预定区域而制造的多个探针单元阵列,之后,通过在 光激活区中原地合成低聚物探针。
但是,当为低聚物探针的原地合成重复光刻工序时,可以引起掩 模未对准,或可能从衍射光产生杂散光,由此导致激活衬底的某些不 希望的区域,因此,在该不希望的区域中形成低聚物副产物。这种非 特定的低聚物形成在用于具有低聚物探针的目标样品的杂化的数据分 析中引起低SNR,这致使准确的数据分析变得困难。
此外,因为基于低聚物探针阵列的分析从基因级向下转移到核苷 酸(DNA的最小单元)级,探针单元的设计规则被减小超出几十μm至 几μm。因此,对于数据分析的精确度的SNR的效果显著地增加。
发明内容
根据本发明的示例性实施例,一种低聚物探针阵列,包括衬底, 在衬底上或衬底中形成的多个探针单元有源区,多个探针单元有源区 的每一个具有基本上平坦的表面并与具有其自己的序列的至少一个低 聚物探针耦合,以及定义探针单元有源区和没有用于耦合表面上的低 聚物探针的官能团的探针单元隔离区。
根据本发明的另一示例性实施例,一种制造低聚物探针阵列的方 法包括,提供一衬底,在该衬底上或衬底中形成具有基本上平坦表面 的多个探针单元有源区,该多个探针单元有源区被探针单元隔离区限 定,而没有用于耦合低聚物探针的官能团,以及将该低聚物探针耦合 到多个探针单元有源区,以便每个探针单元有源区被耦合到具有其自 己的序列的低聚物探针。
附图说明
通过参考附图详细描述其示例性实施例,将更加明白本发明的上 述及其他特点和优点。
图1A和1B是根据本发明的至少一个实施例的低聚物探针阵列的 探针单元有源区的布图。
图2至5图示了根据本发明的至少一个实施例,包括在衬底上构图 的多个探针单元有源区的低聚物探针阵列的剖面图。
图6至9图示了根据本发明的另一实施例,包括由LOCOS(硅的局 部氧化)氧化层形成的多个探针单元有源区的低聚物探针阵列的剖面 图。
图10至13图示了根据本发明的再一实施例,包括衬底中的多个沟 槽型探针单元有源区的低聚物探针阵列的剖面图。
图14至20是中间结构的剖面图,图示了制造如图2所示的低聚物探 针阵列的方法。
图21至22是中间结构的剖面图,图示了制造如图3所示的低聚物探 针阵列的方法。
图23是中间结构的剖面图,图示了制造如图4所示的低聚物探针阵 列的方法。
图24是中间结构的剖面图,图示了制造如图5所示的低聚物探针阵 列的方法。
图25至27是中间结构的剖面图,图示了制造如图6所示的低聚物探 针阵列的方法。
图28是中间结构的剖面图,图示了制造如图10所示的低聚物探针 阵列的方法。
具体实施方式
通过参考下面详细描述的示例性实施例和附图,可以更容易地理 解本发明的特点和实现本发明的方法。但是,本发明的实施例可以以 许多不同的形式体现,不应该被为是限于在此阐述的实施例。在该附 图中,相同的参考数字指相同的元件。
图1A和1B是根据本发明的至少一个实施例的低聚物探针阵列的 探针单元有源区的布图。
参考图1A,多个探针单元有源区图形1以由行和列构成的矩阵形式 排列。详细地,在X轴方向上以第一间距Px和在Y轴方向上以第二间距 Py排列探针单元有源区图形1。尽管图1A图示了第一间距Px与第二间距 Py相同,但是必要时,第一间距Px可以不同于第二间距Py。
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