[发明专利]磁盘基板用研磨液组合物

说明书

技术领域

本发明涉及磁盘基板用研磨液组合物和使用它的磁盘基板的制造 方法。

背景技术

近年来，由于磁盘驱动存在小型化和大容量化的趋势，所以通过 缩小磁盘的单位记录面积，增大每一块磁盘的记录容量来适应该趋势。 单位记录面积变小时，由于磁信号变弱，需要提高检测感度。因此， 需要进一步降低磁头的浮动高度，随之而来要求减小磁盘基板(以下， 也简称为“基板”)的表面粗糙度和波纹。另外，由于磁头在基板的整 个面上进行浮动和移动，所以要求在基板的整个面上减少波纹。针对 这种要求，提出了对作为研磨粒子的二氧化硅粒子的粒径分布下功夫 的研磨液组合物(例如，参考特开2004-204151号公报)。

在特开2004-204151号公报中，公开了使用具有特定粒径分布的 胶体二氧化硅的研磨液组合物，其中有如下记载：根据该研磨液组合 物，通过减小胶体二氧化硅的粒径，并使其粒径分布变得尖锐，可以 降低存储硬盘用基板的表面粗糙度。

但是，减小研磨粒子的粒径、或者使研磨粒子的粒径分布变得尖 锐时，难以在不损害生产率的情况下降低由原子间力显微镜(AFM) 得到的基板的表面粗糙度的最大高度Rmax和基板的外周部的波纹。

发明内容

本发明的磁盘基板用研磨液组合物含有水、二氧化硅粒子和选自 酸、酸的盐和氧化剂中的至少一种，其中，对于上述二氧化硅粒子， 用将透射型电子显微镜观察测定得到的所述二氧化硅粒子的最大径作 为直径的圆面积除以所述二氧化硅粒子的投影面积再乘以100所得到 的值为100-130的范围。

本发明的磁盘基板的制造方法包含使用研磨液组合物对被研磨基 板进行研磨的工序，所述研磨液组合物含有水、二氧化硅粒子和选自 酸、酸的盐和氧化剂中的至少一种，其中，对于上述二氧化硅粒子， 用将透射型电子显微镜观察测定得到的所述二氧化硅粒子的最大径作 为直径的圆面积除以所述二氧化硅粒子的投影面积再乘以100所得到 的值为100-130的范围。

附图说明

图1是本发明实施例1-11和比较例1-7的粒径对累积体积频率 的曲线图。

图2是本发明的实施例12-28和比较例8-11的粒径对累积体积 频率的曲线图。

具体实施方式

本发明的磁盘基板用研磨液组合物含有水、二氧化硅粒子和选自 酸、酸的盐和氧化剂中的至少一种(以下，也简称为“研磨液组合物”)， 其中，用将透射型电子显微镜(TEM)观察测定得到的所述二氧化硅 粒子的最大径作为直径的圆面积除以所述二氧化硅粒子的投影面积再 乘以100所得到的值(参考日本专利第3253228号，以下称为“SF1”。) 为100-130的范围。根据本发明的研磨液组合物，通过使SF1为上 述范围内，可以降低磁盘基板的表面粗糙度。特别地，由于可以降低 用原子间力显微镜(AFM)观察测定得到的上述表面粗糙度的最大高 度Rmax，所以可以降低磁头的浮动高度，而且可以降低影响介质收 率的磁盘基板的划痕。另外，上述SF1越接近100，则表示越接近于 球状的形状。此外，SF1的测定方法如后所述。

本发明中，要想进一步降低磁盘基板的表面粗糙度，上述SF1优 选为100-125的范围，更优选为100-110的范围。

本发明中使用的二氧化硅粒子优选为：在用从小粒径一侧开始的 累积体积频率(％)对粒径(nm)作图得到的、表示所述二氧化硅粒 子的粒径分布的粒径对累积体积频率的曲线图中，粒径为40-100nm 的范围的累积体积频率(V)与粒径(R)的关系满足以下的式(1)：

V≥0.5×R+40(1)