[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体晶片以及半导体装置有效
| 申请号： | 200710101281.X | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101145521A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 保利幸隆 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;陈景峻 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 晶片 以及 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：
在半导体晶片的形成有多个芯片的芯片区域和该芯片区域外周的无效区域的表面上，至少在所述无效区域，分别形成以面积比所述芯片小的方式被分割的多个保护膜，
在载物台上隔着膜倒置地载置所述半导体晶片，
对所述半导体晶片的背面进行研磨。
2.如权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在各芯片上分别分割为多个而形成所述芯片区域的所述保护膜。
3.如权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述芯片区域的所述保护膜只形成在栅极布线以及保护环上。
4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：
在半导体晶片表面的芯片区域的各芯片上，分别形成分割为多个的保护膜，
在载物台上隔着膜倒置地载置所述半导体晶片，
对所述半导体晶片的背面进行研磨。
5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：
在半导体晶片表面的芯片区域的各芯片上，分别形成只覆盖栅极布线以及保护环的保护膜，
在载物台上隔着膜倒置地载置所述半导体晶片，
对所述半导体晶片的背面进行研磨。
6.一种半导体晶片，其特征在于：
形成多个芯片，在所述芯片以及所述芯片外周的无效区域的表面，至少在所述无效区域上分别形成分割为面积比所述芯片小的多个保护膜，并且背面被研磨过。
7.一种半导体晶片，其特征在于：
形成多个芯片，在各芯片的表面上分别形成被分割为多个的保护膜，并且背面被研磨过。
8.一种半导体晶片，其特征在于：
形成多个芯片，在各芯片的表面上形成只覆盖栅极布线以及保护环的保护膜，并且背面被研磨过。
9.一种半导体装置，其特征在于：
在半导体的表面上形成被分割为多个的保护膜，所述半导体的背面被研磨过。
10.一种半导体装置，其特征在于：
只在形成于半导体表面上的栅极布线以及保护环上形成保护膜，所述半导体的背面被研磨过。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
