[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体晶片以及半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法、半导体晶片以及半导体装置。

背景技术

公知如下的半导体装置的制造方法：在半导体晶片的表面上形成元件后，例如，以聚酰亚胺树脂在表面上形成保护膜，隔着膜倒置地载置在研磨装置的载物台上，由一边施加压力一边旋转的研磨机对背面进行研磨。

在专利文献1中，记载了如下内容：在对半导体晶片进行研磨时，为了保护形成在表面上的元件，在半导体晶片表面上形成了保护膜，使保护膜的电极焊盘部分开口。此外，在专利文献2中记载了如下内容：在研磨时为了保护元件而形成了保护膜，并进一步粘贴带子。

专利文献1：特开昭59-229829号公报

专利文献2：特开昭64-069013号公报

但是，在IGBT(Insulated Gate Bipolar工学校Transistor：绝缘栅双极型晶体管)等功率用半导体元件中，需要使元件的厚度即晶片的厚度小于等于200μm，在现有技术的半导体装置的制造方法中，有时由于研磨装置的磨具的旋转力与压力的作用，会导致膜发生弯曲等，从而与其相连的保护膜上产生较强的应力，在研磨过程中，保护膜上产生裂痕(龟裂)。此外，越是需要研磨时间很长，即，越是需要晶片的厚度变薄越显著。因此，在分割保护膜时将损伤元件(内部)，或者保护膜起不到原来的作用，由于在封装成型时所施加的树脂的压力，芯片表面的布线层发生断线或者变形，或者，水分等进入到这些龟裂部位，引起耐压的恶化或变动等特性异常而导致不良的元件很多。

发明内容

本发明的课题在于，提供一种在研磨过程中保护膜上不会产生裂痕的半导体装置的制造方法、以及保护膜上没有裂痕的半导体晶片以及半导体装置。

在本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法中，在半导体晶片的形成有多个芯片的芯片区域和该芯片区域外周的无效区域的表面，至少在所述无效区域，分别形成以面积比所述芯片小的方式被分割的多个保护膜，在载物台上隔着膜倒置地载置所述半导体晶片，并对所述半导体晶片的背面进行研磨。

此外，在本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法中，在半导体晶片表面的芯片区域的各芯片上，分别形成被分割为多个的保护膜，在载物台上隔着膜倒置地载置所述半导体晶片，并对所述半导体晶片的背面进行研磨。

根据本发明，在无效区域上也形成保护膜，由此，研磨时，半导体晶片整体受到研磨装置的压力，由此，不均衡的应力不作用在半导体晶片上，此外，即使弯曲作用在半导体晶片上，由于将保护膜分割得较小，从而弯曲应力分散作用在多个保护膜上，故保护膜上也不会产生裂痕。

附图说明

图1是本发明第一实施方式的半导体晶片的概要图。

图2是形成在图1的半导体晶片上的芯片的详细图。

图3是形成在图1的半导体晶片上的无效芯片图形的详细图。

图4是本发明第二实施方式的芯片的详细图。

图5是本发明第三实施方式的芯片的详细图。

图6是本发明第四实施方式的芯片的详细图。

具体实施方式

实施方式1

图1中示出本发明第一实施方式的形成有多个功率半导体元件的一枚半导体晶片1的表面侧概要图。半导体晶片1被正交的多个分割线区域X、Y划分，中央的斜线部分是芯片区域2，并排列多个芯片3而形成。此外，芯片区域2外周的没有斜线的部分是不能够确保芯片3大小的无效区域4，形成多个与芯片3对准的无效芯片图形5。

图2示出作为一个功率半导体元件进行动作的芯片3的详细情况。对于芯片3来说，作为由铝等构成的金属布线层，形成发射极6以及栅极焊接区7，并且，以分割发射极6的方式形成从栅极焊接区7延伸的栅极布线8。此外，芯片3在外周形成了保护环9。

此外，在芯片3的表面，例如涂上聚酰亚胺树脂作为保护膜10，为了可通过引线键合法等与芯片3的外部电连接，在发射极6与栅极焊接区7上的保护膜上设置了开口部。并且，通过在栅极布线8上残留保护膜，由此，发射极6的开口部分割为多个进行设置(以后，将该开口部称为射极焊接区域11)。

图3示出无效芯片图形5的详细情况。无效芯片图形5在表面上具有以面积比芯片3小的方式分割为网格状而形成的多个保护膜12。

并且，在形成保护膜10、12之后，隔着膜倒置地将半导体晶片1载置在研磨装置的载物台上，用磨具对背面进行研磨。

然后，对所述结构的半导体晶片1的作用进行说明。