[发明专利]带厚栅极氧化层的多次可编程非易失性存储器件

权利要求书

1.一种多次可编程(MTP)存储单元，包括：

浮栅PMOS晶体管，包括形成所述存储单元的第一端子的源极、并包括漏极和栅极；

高压NMOS晶体管，包括源极、连接于所述PMOS晶体管漏极的延长的漏极、以及形成所述存储单元的第二端子的栅极；以及

n阱电容器，包括连接于所述PMOS晶体管的栅极的第一端子、以及形成所述电路的第三端子的第二端子；

其中所述浮栅PMOS晶体管可存储一逻辑状态；以及

其中可对所述存储单元的第一、第二和第三端子施加各种电压的组合以编程、禁止编程、读取和擦除由所述浮栅PMOS晶体管存储的逻辑状态。

2.如权利要求1所述的MTP存储单元，其特征在于，所述高压NMOS晶体管的源极接地。

3.如权利要求1所述的MTP存储单元，其特征在于，所述浮栅PMOS晶体管的栅极被形成在厚度在大约10nm到大约15nm范围的栅极氧化层上。

4.如权利要求1所述的MTP存储单元，其特征在于，所述浮栅PMOS晶体管的栅极被形成在厚度至少12nm的栅极氧化层上。

5.如权利要求1所述的MTP存储单元，其特征在于：

所述高压NMOS晶体管的栅极被形成在栅极氧化层上；以及

所述高压NMOS晶体管的延长的漏极通过场氧化区与所述高压NMOS晶体管的栅极氧化层隔离。

6.如权利要求1所述的MTP存储单元，其特征在于：

所述高压NMOS晶体管的栅极被形成在栅极氧化层上；并且

所述高压NMOS晶体管的延长的漏极通过介电区与所述高压NMOS晶体管的栅极氧化层隔离。

7.如权利要求6所述的MTP存储单元，其特征在于，所述介电区包括氮化硅区或二氧化硅区。

8.如权利要求1所述的MTP存储单元，其特征在于：

要对所述单元编程则需对所述第一端子施加一编程电压并对所述第二端子和第三端子施加一选择电压；

要禁止对所述单元编程则需将所述第二端接地；

要读取所述单元则需对所述第一端子施加一读取电压，对所述第二端子施加一选择电压，并将所述第三端子接地；

要擦除所述单元则需对所述第一端子施加一擦除电压并将所述第二和第三端子接地。

9.如权利要求8所述的MTP存储单元，其特征在于，所述擦除电压至少两倍于所述编程电压。

10.如权利要求8所述的MTP存储单元，其特征在于：

所述编程电压约为5到10伏；

所述读取电压约为1伏；并且

所述擦除电压约为14到20伏。