[发明专利]光刻设备、透镜干涉仪和装置制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及光刻设备、用于光刻设备的透镜干涉仪以及制造装置的方法。

背景技术

光刻设备是一种将想要的图案施加到衬底(通常为衬底的目标部分)上的机器。光刻设备可用于比如集成电路(IC)的制造。在那种情形下，可利用另外被称为掩模或分划板的图案形成装置生成将在IC的单个层上形成的电路图案。该图案可被转移到衬底(如硅片)上的目标部分(如包含一个或若干管芯的部分)。图案的转移通常借助于在衬底上设置的辐射敏感材料层(光刻胶)上的成像。一般地，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的分档器和扫描器，在分档器中，通过同时使整个图案曝光到目标部分上而使每个目标部分被照射；在扫描器中，通过辐射束沿着给定方向(“扫描方向”)扫描图案并同时沿着与这个方向平行或反平行的方向扫描衬底而使每个目标部分被照射。通过在衬底上压印图案也能将图案从图案形成装置转移至衬底。

光刻投影工具正逐渐变得能够在相对较高的数值光阑NA(NA＞1)处使图案成像于层上。

由于成像过程的性质，照射光束的偏振控制因此变得更为重要。正如本领域的技术人员已知的，光刻成像过程包含掩模图案在衬底上的辐射敏感层上的曝光。典型地，在掩模处，衍射图案通过照射到掩模上的照明光束与掩模图案的相互作用来形成。衍射图案各自通过投影系统并且接着作为衍射图案的干涉图案在衬底层上成像。在更高的数值光阑处，衍射图案的干涉受构成各自的衍射图案的每一束光束中光偏振的影响。当单独的干涉光束的偏振矢量完全平行时达到最大干涉。如果光束的偏振矢量的方向不是平行的，干涉将变弱，这导致将要形成的图像的对比度下降。还已知衍射光束的偏振态可能受掩模图案的影响，尤其是作为掩模图案间距的函数而受掩模图案的影响，并且受投影系统的影响。

发明内容

一种能够获得照射到衬底工作台上的光束的偏振态信息的光刻设备是所期望的。

按照本发明的一个方面，提供了一种光刻设备，其包含被配置成可调节辐射束的照明系统；被配置成可将辐射束的至少一部分作为投影辐射束来投射的投影系统；以及用于感测投影辐射束的波前状态的透镜干涉仪，其中透镜干涉仪配有偏振元件以便能够感测投影辐射束的偏振态。

此外，一种用于光刻设备的、能够检测照射到衬底工作台上的光束的偏振态的传感器是所期望的。

按照本发明的一个方面，提供了一种用于光刻设备的透镜干涉仪，所述光刻设备包含被配置成可调节辐射束的照明系统和被配置成可将辐射束的至少一部分作为投影辐射束来投射的投影系统；所述透镜干涉仪被布置成用于感测辐射束的波前状态，其中透镜干涉仪配有偏振元件以便能够感测辐射束的偏振态。

此外，一种用于制造装置的方法是所期望的，其允许获得照射到衬底工作台上的光束的偏振态信息。

按照本发明的一个方面，提供了一种装置制造方法，该方法包含：将辐射束的至少一部分作为投影辐射束来投射，设置透镜干涉仪用于感测投影辐射束的波前状态，以及为透镜干涉仪装配偏振元件以便能够感测投影辐射束的偏振态。

附图说明

现在将通过举例的方式并参考所附示意图对本发明的实施例进行描述，在附图中相应的附图标记表示对应的部分，并且其中：

图1描述了按照本发明实施例的光刻设备；

图2描述了图1的光刻设备的细节；

图3示意性描述了按照本发明实施例的测量系统；

图4示意性描述了用于依照本发明的透镜干涉仪传感器的光栅；

图5示意性描述了供依照本发明的透镜干涉仪传感器使用的透镜干涉仪标记器的第二实施例。

具体实施方式

图1示意性地描述了按照本发明一个实施例的光刻设备。该设备包含：

-照明系统(照明器)IL，其被配置成可调节辐射束B(如UV辐射或EUV辐射)；

-支持体结构(如掩模工作台)MT，其被构造成可支持图案形成装置(如掩模)MA，并且与被配置成可依照某些参数将图案形成装置精确定位的第一定位装置PM相连；

-衬底工作台(如晶片工作台)WT，其被构造成可支持衬底(如光刻胶涂敷的晶片)W，并且与被配置成可依照某些参数将衬底精确定位的第二定位装置PW相连；以及

-投影系统(如折射式投影透镜系统)PS，其被配置成可通过图案形成装置MA将传递给辐射束B的图案投射到衬底W的目标部分C(例如包含一个或多个管芯)上。

照明系统可包括对辐射进行定向、成形和/或控制的各种类型的光学元件，比如折射的、反射的、磁的、电磁的、静电的或其它类型的光学元件、或者其中的任何组合。