[发明专利]结合在晶片上的粘结膜的分断方法有效
| 申请号： | 200710101831.8 | 申请日： | 2007-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101064274A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 中村胜 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪斯科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/301;H01L21/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结合 晶片 粘结 方法 | ||
1.一种晶片接合用粘结膜的分断方法，其中所述粘结膜结合 在晶片的后表面上，所述晶片在由形成于其前表面上的格子样式 的分割预定线分开的多个区域中具有器件，所述方法将粘结膜分 断成与所述器件相对应的多块，所述方法包括以下步骤：
将晶片的粘结膜侧放置在安装于环形框架上的切分胶带的前 表面上；
沿着分割预定线将以其粘结膜侧放置在切分胶带上的晶片切 割成多个器件，并且以在切分胶带那一侧保留未切割部分的方式 不完全地切割粘结膜；以及
在切割步骤之后扩张所述切分胶带，以将粘结膜分断成与所 述器件相对应的多块；
其中，所述粘结膜分断步骤为通过冷却粘结膜以降低其弹性 来扩张所述切分胶带。
2.根据权利要求1所述的晶片接合用粘结膜的分断方法，其 特征在于，利用具有切割刀片的切割机来执行所述切割步骤。
3.根据权利要求1所述的晶片接合用粘结膜的分断方法，其 特征在于，利用施加脉冲激光束的激光束加工机来执行所述切割 步骤。
4.根据权利要求1所述的晶片接合用粘结膜的分断方法，其 特征在于，在所述切割步骤中，粘结膜的未切割部分的厚度设定 为20μm或以下。
5.一种晶片接合用粘结膜的分断方法，其中所述粘结膜结合 在已被分割成多个器件的晶片的后表面上，所述方法将粘结膜分 断成与多个器件相对应的多块，所述方法包括以下步骤：
将晶片的粘结膜侧放置在安装于环形框架上的切分胶带的前 表面上；
以在切分胶带那一侧保留未切割部分的方式将结合到切分胶 带上的粘结膜不完全地切割成与器件相对应的多块；以及
在切割步骤之后扩张所述切分胶带，以将粘结膜分断成与所 述器件相对应的多块；
其中，所述粘结膜分断步骤为通过冷却粘结膜以降低其弹性 来扩张所述切分胶带。
6.根据权利要求5所述的晶片接合用粘结膜的分断方法，其 特征在于，利用施加脉冲激光束的激光束加工机来执行所述切割 步骤。
7.根据权利要求5所述的晶片接合用粘结膜的分断方法，其 特征在于，在所述切割步骤中，粘结膜的未切割部分的厚度设定 为20μm或以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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