[发明专利]结合在晶片上的粘结膜的分断方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片接合用粘结膜的分断方法，用于将结合在形 成有多个器件的晶片的后表面上的晶片接合用粘结膜分断成与所 述器件相对应的多块。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，例如，通过在由分区线(分割 预定线)分开的多个区域内形成诸如IC或LSI等器件来制造彼此 独立的器件，该分割预定线以格子样式形成在基本上为盘状的半 导体晶片的前表面上，并且将半导体晶片沿着分割预定线分断成 多个区域，每个区域都具有形成于其中的器件。称为“切分机” 的切割机通常用作分割半导体晶片的分割机以通过厚度为大约 40μm的切割刀片沿着分割预定线切割半导体晶片。由此获得的器 件被封装在和广泛地用在诸如便携式电话和个人计算机等电器 中。

称为“晶片贴附膜”的晶片接合用粘结膜(adhesive film)具 有70μm至80μm的厚度，且由环氧树脂制成，该粘结膜通过加热 与上述独立分开的器件的后表面结合，然后该器件经由该粘结膜 而结合到用于支撑器件的晶片接合框架上。作为将晶片接合用粘 结膜结合到器件后表面的措施，日本特开2000-182995号公报公开 了如下方法，即，在粘结膜与半导体晶片的后表面结合以及半导 体晶片经由该粘结膜放置在切分胶带(dicing tape)上之后，利用 切割刀片沿着形成于半导体晶片前表面上的分割预定线将半导体 晶片和粘结膜一起切割，从而获得在后表面具有粘结膜的半导体 晶片。

作为将晶片接合用粘结膜结合到器件后表面的另一种措施， 建议了如下方法，即，在粘结膜与半导体晶片的后表面结合以及 半导体晶片经由该粘结膜放置在切分胶带上之后，沿着形成于半 导体晶片前表面上的分割预定线施加激光束，从而将粘结膜和半 导体晶片一起切割。

由于近年来对诸如便携式电话和个人计算机等更轻、更小的 电器的要求增大，所以期望有更薄的器件。称为“预切分”的分 割技术用于将半导体晶片分断成更薄的器件。在这种预切分技术 中，在半导体晶片的前表面沿着分割预定线形成具有预定深度(与 每个半导体晶片的最终厚度一致)的分割槽，然后通过碾磨前表 面形成有分割槽的半导体晶片的后表面而使分割槽从后表面露 出，从而将半导体晶片分断成独立的半导体晶片。这种技术可以 获得厚度为100μm或者更薄的半导体晶片。

然而，当通过预切分技术将半导体晶片分断成彼此独立的器 件时，因为在半导体晶片的前表面沿着分割预定线形成具有预定 深度的分割槽之后，半导体晶片的后表面被碾磨以使分割槽从后 表面露出，所以晶片接合用粘结膜不能事先结合到半导体晶片的 后表面上。因此，为了将以预切分技术制造的半导体晶片结合到 晶片结合框架上，该结合必须在将结合剂插入器件和晶片结合框 架的同时执行，因此出现的问题是，不可能平稳地执行结合工作。

为了解决上述问题，日本特开2002-118081号公报公开了一种 半导体器件的制造方法，该方法包括：将晶片接合用粘结膜结合 到已经通过预切分技术分断成彼此独立的器件的半导体晶片的后 表面，经由该粘结膜将半导体晶片放置在切分胶带上，以及化学 蚀刻从相邻半导体晶片之间的空间露出的粘结膜以将其去除，并 且一种半导体器件的制造方法包括在半导体晶片的前表面通过相 邻器件之间的空间施加激光束到从上述空间露出的粘结膜上，从 而去除粘结膜的从上述空间露出的部分。

当通过切割刀片将结合到半导体晶片后表面上的粘结膜与半 导体晶片一起完全地切割时，粘结膜的后表面会产生须状毛刺， 这在引线接合时会导致不连通。

当通过施加激光束到粘结膜上来切割粘结膜时，粘结膜会熔 化且粘附在切分胶带上，从而不可能从切分胶带上取下半导体晶 片。

发明内容

本发明的目的是提供一种分断结合在晶片上的粘结膜的方 法，该方法可以分割与晶片的后表面结合的粘结膜而不产生毛刺 或者不会使粘结膜粘附在切分胶带上。

为了实现上述目的，根据本发明，提供了一种晶片接合用粘 结膜的分断方法，其中所述粘结膜结合在晶片的后表面上，所述 晶片在由形成于其前表面上的格子样式的分割预定线分开的多个 区域中具有器件，所述方法将粘结膜分断成与所述器件相对应的 多块，所述方法包括以下步骤：

将晶片的粘结膜侧放置在安装于环形框架上的切分胶带的前 表面上；