[发明专利]半导体装置及集成电路

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第一电容组件，包括多个第一单元电容组件彼此连接，且每一第一单元电容组件具有第一单元电容值；以及

第二电容组件，包括多个第二单元电容组件彼此连接，且每一第二单元电容组件具有第二单元电容值，其中所述第一单元电容组件与所述第二单元电容组件具有相同的单元电容组件数量；

其中所述第一单元电容组件与所述第二单元电容组件排列成一阵列，且在每一列及每一栏中交替排置，而所述第一单元电容组件与所述第二单元电容组件的总数均分别大于2。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一单元电容组件与所述第二单元电容组件分别小于200fF。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一单元电容组件与所述第二单元电容组件的面积分别小于200μm²。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一单元电容组件与所述第二单元电容组件通过共节点而相互连接。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一单元电容组件与所述第二单元电容组件没有共节点。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一单元电容组件与所述第二单元电容组件具有共节点。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一单元电容值与所述第二单元电容值相等。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一单元电容值与所述第二单元电容值不相等。

9.一种集成电路，其特征在于，包括：

第一电容组件阵列，包括多个第一单元电容组件及多个第二单元电容组件，其特征在于，所述第一电容组件阵列中所述第一单位电容组件与所述第二单元电容组件的总数量不小于6，且所述第一单元电容组件及所述第二单元电容组件在所述第一电容组件阵列的每一列及每一栏中交替排置；

其中每一所述第一单元电容组件包括：

第一共节点，包括第一导电排线及与其连接的多个第一插指；

多个第二插指，每一所述第二插指分别位于所述第一插指中每两个之间并与其电性绝缘；

第二导电排线，与所述第二插指相互连接；

其中每一所述第二单元电容组件包括：

第二共节点，包括第三导电排线及与其连接的多个第三插指；

多个第四插指，每一所述第四插指分别位于所述第三插指中每两个之间并与其电性绝缘；

第四导电排线，与所述第四插指相互连接；

其中所述第一单元电容组件的所述第一共节点相互连接、所述第二单元电容组件的所述第二共节点相互连接、所述第一单元电容组件的所述第二导电排线相互连接以及所述第二单元电容组件的所述第四导电排线相互连接。

10.如权利要求9所述的集成电路，其特征在于，还包括第二电容阵列，其特征在于，所述第二电容阵列包括多个第三单元电容组件并联连接于所述第一单元电容组件以及多个第四单元电容组件并联连接于所述第二单元电容组件，且所述第三单元电容组件与所述第四单元电容组件在所述第二电容阵列的每一列及每一栏中交替排置。

11.如权利要求10所述的集成电路，其特征在于，所述第二电容阵列与所述第一电容阵列位于不同的金属层中。

12.如权利要求9所述的集成电路，其特征在于，所述第一单元电容组件的所述第一共节点相互连接并与所述第二单元电容组件的所述第二共节点连接。

13.如权利要求9所述的集成电路，其特征在于，所述第一单元电容组件的所述第一共节点不与所述第二单元电容组件的所述第二共节点连接。