[发明专利]复合覆盖层及其制作方法

权利要求书

1.一种复合覆盖层的制作方法，包含有以下步骤：

提供基底，该基底至少包含有导电层、底层以及介电层；

在该基底表面形成复合覆盖层，且该复合覆盖层至少包含有第一覆盖层与形成于该第一覆盖层上的第二覆盖层；

在该复合覆盖层表面形成图案化的金属硬掩模层；以及

进行蚀刻工艺，经由该图案化的金属硬掩模层蚀刻该复合覆盖层，且在该第二覆盖层中形成至少一开口。

2.如权利要求1所述的方法，其中该介电层包含有超低介电材料。

3.如权利要求2所述的方法，其中该介电层具有张应力，且该张应力为30至80MPa。

4.如权利要求1所述的方法，其中该第一覆盖层与该第二覆盖层分别为利用沉积工艺所形成的四乙基氧硅烷层。

5.如权利要求4所述的方法，其中该沉积工艺包含有等离子体增强化学气相沉积工艺、次大气压化学气相沉积工艺、或低压气相沉积。

6.如权利要求4所述的方法，其中形成该第一覆盖层与该第二覆盖层的该沉积工艺利用同位方式进行。

7.如权利要求4所述的方法，其中该第一覆盖层为张应力四乙基氧硅烷层，而该第二覆盖层为气密四乙基氧硅烷层。

8.如权利要求7所述的方法，其中该张应力四乙基氧硅烷层厚于该气密四乙基氧硅烷层。

9.如权利要求7所述的方法，其中形成该张应力四乙基氧硅烷层的该沉积工艺中使用的高频无线电波功率为750至850瓦特，低频无线电波功率为100至200瓦特。

10.如权利要求7所述的方法，其中形成该气密四乙基氧硅烷层的该沉积工艺中使用的高频无线电波功率为230至330瓦特，低频无线电波功率为10至100瓦特。

11.如权利要求7所述的方法，其中该张应力四乙基氧硅烷层包含有50至100MPa的张应力，而该气密四乙基氧硅烷层包含有-150至-300MPa的压应力。

12.如权利要求4所述的方法，其中该第一覆盖层为气密四乙基氧硅烷层，而该第二覆盖层为张应力四乙基氧硅烷层。

13.如权利要求12所述的方法，其中该张应力四乙基氧硅烷层厚于该气密四乙基氧硅烷层。

14.如权利要求12所述的方法，其中形成该气密四乙基氧硅烷层的该沉积工艺中使用的高频无线电波功率为230至330瓦特，低频无线电波功率为10至100瓦特。

15.如权利要求12所述的方法，其中形成该张应力四乙基氧硅烷层的该沉积工艺中使用的高频无线电波功率为750至850瓦特，低频无线电波功率为100至200瓦特。

16.如权利要求12所述的方法，其中该张应力四乙基氧硅烷层具有为50至100Mpa的张应力，而该气密四乙基氧硅烷层具有为-150至-300Mpa的压应力。

17.如权利要求12所述的方法，其中该复合覆盖层还包含有第三覆盖层。

18.如权利要求17所述的方法，其中该第三覆盖层为利用沉积工艺形成于该第二覆盖层上的气密四乙基氧硅烷层。

19.如权利要求18所述的方法，其中该沉积工艺包含有等离子体增强化学气相沉积工艺、次大气压化学气相沉积工艺、或低压气相沉积所形成的气密四乙基氧硅烷层。

20.如权利要求18所述的方法，其中形成该气密四乙基氧硅烷层包含有-150至-300Mpa的压应力。

21.如权利要求18所述的方法，其中该形成该第一覆盖层、该第二覆盖层、与该第三覆盖层的该沉积工艺利用同位方式进行。

22.如权利要求18所述的方法，其中形成该气密四乙基氧硅烷层的该沉积工艺中使用的高频无线电波功率为230至330瓦特，低频无线电波功率为10至100瓦特。

23.如权利要求17所述的方法，其中该开口形成于该第二覆盖层与该第三覆盖层内。

24.如权利要求1所述的方法，其中该开口包含有镶嵌结构的沟槽开口或引线孔开口。