[发明专利]电路装置

说明书

技术领域

本发明涉及电路装置，尤其涉及在金属基板上搭载有电路元件的电路装置。

背景技术

目前，伴随着LSI(Large Scale Integrated Circuit：大型集成电路)的进一步高性能化、高功能化，其耗电也趋于增加。另外，随着电子设备的小型化，要求安装基板也小型化、高密度化、多层化。因此，电路基板单位体积的耗电(热密度)上升，其散热对策变得更加必要。

因此，近年来，作为电路装置的基板，使用具有高散热性的金属基板，并且在该金属基板上安装有LSI等电路元件(例如，参照专利文献1)。

图11是示意地表示上述专利文献1公开的现有的电路装置的构造的剖面图。如图11所示，在现有的电路装置中，在由铝构成的金属基板101上形成有作为绝缘层而起作用的树脂层102，该树脂层102将氧化硅(SiO₂)作为填充材料而进行添加。在树脂层102上的规定区域经由树脂构成的粘接层103而安装有使用硅基板的IC芯片104。另外，在树脂层102上的距离IC芯片104的端部隔开规定间隔的区域，经由粘接层103而形成有铜构成的金属配线105。该金属配线105和金属基板101通过树脂层102而绝缘。另外，金属配线105和IC芯片104通过引线106而电连接。

在图11所示的现有的电路装置中，由于使用由铝构成的金属基板101并且在该金属基板101上经由树脂层102而安装IC芯片104，故即使由IC芯片104产生大量的热，其热量也能够通过金属基板101而散热。

专利文献1：(日本)特开平8-288605号公报

另外，近年来还谋求将来自电路元件(IC芯片)的热更有效地向金属基板散热。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于使来自电路元件的热更有效地向金属基板传导并提高电路装置的散热性。

本发明一个方面，提供一种电路装置。该电路装置的特征在于，包括：在主表面上形成有台阶高差的金属基板；经由绝缘层而设于金属基板的主表面上的导电层；设置在导电层上的、发热量不同的多个电路元件，多个电路元件中发热量相对大的高发热性电路元件距与该高发热性电路元件相对向的金属基板间的距离，比多个电路元件中发热量相对小的低发热量电路元件距与该低发热性电路元件相对向的金属基板的距离短。

根据该方面，由于高发热性电路元件与金属基板的距离接近，故由高发热性电路元件产生的热量容易传导到金属基板。结果，电路装置整体的散热性提供。

在上述电路装置中，也可以使在高发热性电路元件距与该高发热性电路元件相对向的金属基板之间形成的、由导电层和绝缘层构成的配线层的层数，比在低发热性电路元件距与该低发热性电路元件相对向的金属基板之间形成的、由导电层和绝缘层构成的配线层的层数少。

根据上述结构，由于高发热性电路元件产生的热量不易在层方向上扩散，故由高发热性电路元件产生的热量容易传导到与高发热性电路元件相对向的金属基板。

在上述电路装置中，也可以在金属基板的表面实施表面粗糙化加工。

根据上述结构，能够使金属基板与绝缘层的接触面积增加。由此，可提高金属基板与绝缘层之间的紧密贴合性，并且抑制绝缘层自金属基板剥离。其结果，提供抑制绝缘层自金属基板剥离且散热性提高的电路装置。

在上述方面的电路装置中，可以构成为：高发热性电路元件是向负载供给电力的功率元件，低发热性电路元件控制功率元件的输出或者驱动功率元件。

附图说明

图1是表示实施方式1的电路装置的示意剖面构造的剖面图。

图2(A)～(E)是用于说明实施方式1的电路装置的制作过程的剖面图。

图3(A)～(E)是用于说明实施方式1的电路装置的制作过程的剖面图。

图4是(A)～(D)是用于说明实施方式1的电路装置的制作过程的剖面图。

图5是(A)～(C)是用于说明实施方式1的电路装置的制作过程的剖面图。

图6是表示本实施方式变形例的电路装置的示意剖面构造的剖面图。

图7是(A)～(E)是用于说明本实施方式变形例的电路装置的制作过程的剖面图。

图8是表示实施方式2的电路装置的控制部以及功率部的配置的平面图。

图9是与实施方式2的电路装置的控制部以及功率部关联的等效电路图。

图10是表示实施方式2的电路装置的示意剖面构造的剖面图。

图11是示意地表示现有的电路装置构造的剖面图。

附图标记说明