[发明专利]减轻冲击应力的记忆体模组无效
| 申请号： | 200710102075.0 | 申请日： | 2007-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101309549A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 范文正 | 申请（专利权）人： | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02;H05K1/11;H05K1/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减轻 冲击 应力 记忆体 模组 | ||
1、一种存储器模块，其特征在于其包含：
一多层印刷电路板，其具有一呈矩形的第一表面、一第二表面、一第一长侧边、一第二长侧边以及两短侧边，其中，该第一长侧边的两侧设有多个金手指，且该两短侧边各形成至少一扣槽；
多个存储器封装件，其至少设置于该多层印刷电路板的该第一表面；以及
一应力吸收被覆层，其形成于该多层印刷电路板的该两短侧边并延伸至该第一表面与该第二表面。
2、根据权利要求1所述的减轻冲击应力的存储器模块，其特征在于其中所述的该些存储器封装件是为球栅阵列式封装而包含有多个焊球。
3、根据权利要求2所述的减轻冲击应力的存储器模块，其特征在于其中所述的多层印刷电路板设有多个球垫，以供接合该些焊球。
4、根据权利要求3所述的减轻冲击应力的存储器模块，其特征在于其中所述的该些球垫是为非阻焊界定垫。
5、根据权利要求1所述的减轻冲击应力的存储器模块，其特征在于其中所述的应力吸收被覆层是具有防湿性。
6、根据权利要求1所述的减轻冲击应力的存储器模块，其特征在于其中所述的应力吸收被覆层更形成于该第二长侧边。
7、根据权利要求1所述的减轻冲击应力的存储器模块，其特征在于其中所述的应力吸收被覆层是为断续状。
8、根据权利要求1所述的减轻冲击应力的存储器模块，其特征在于其中所述的应力吸收被覆层是不形成于该些扣槽。
9、根据权利要求1所述的减轻冲击应力的存储器模块，其特征在于其中所述的应力吸收被覆层是不形成于该第一长侧边。
10、根据权利要求1所述的减轻冲击应力的存储器模块，其特征在于其中部分的该些存储器封装件是设置于该多层印刷电路板的该第二表面。
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