[发明专利]供体基底及利用其制造有机发光二极管显示器的方法

权利要求书

1.一种用于平板显示器的供体基底，包括：

基膜；

光-热转化层，位于所述基膜上；

第一缓冲层，位于所述光-热转化层上，所述第一缓冲层包含发射主体材 料；

转印层，位于所述第一缓冲层上；

第二缓冲层，位于所述转印层上，所述第二缓冲层包含与所述第一缓冲 层的发射主体材料相同的发射主体材料。

2.如权利要求1所述的供体基底，其中，所述转印层包含发射主体材料 和掺杂剂。

3.如权利要求2所述的供体基底，其中，所述转印层的发射主体材料与 所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的发射主体材料相同。

4.如权利要求1所述的供体基底，其中，所述第一缓冲层包含CBP、 CBP衍生物、mCP、mCP衍生物或者螺类衍生物。

5.如权利要求1所述的供体基底，其中，所述第一缓冲层包含磷光主体 材料。

6.如权利要求1所述的供体基底，其中，所述第一缓冲层具有1nm至 3nm的厚度。

7.如权利要求1所述的供体基底，其中，所述转印层包括发射层、空穴 注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层和电子阻挡层 中的至少一个。

8.如权利要求7所述的供体基底，其中，所述转印层包括至少一个含有 小分子量材料的层。

9.如权利要求1所述的供体基底，还包括位于所述光-热转化层和所述 第一缓冲层之间的夹层。

10.如权利要求1所述的供体基底，其中，所述第二缓冲层包含CBP、 CBP衍生物、mCP、mCP衍生物或螺类衍生物。

11.如权利要求1所述的供体基底，其中，所述第二缓冲层包含磷光主 体材料。

12.如权利要求1所述的供体基底，其中，所述第二缓冲层具有1nm至 3nm的厚度。

13.一种制造有机发光二极管显示器的方法，包括：

提供具有下电极的装置基底；

顺序地沉积基膜、光-热转化层、包含发射主体材料的第一缓冲层、转印 层和包含与所述第一缓冲层的发射主体材料相同的发射主体材料的第二缓冲 层以形成供体基底；

在所述装置基底上方设置所述供体基底，使得所述第二缓冲层直接在所 述装置基底的对面；

将激光照射到所述供体基底的预定区域以将部分所述第一缓冲层、部分 所述转印层和部分所述第二缓冲层转印到所述下电极上以形成有机层图案。

14.如权利要求13所述的方法，其中，沉积所述转印层的步骤包括沉积 发射层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层 和电子阻挡层中的至少一个有机层。

15.如权利要求14所述的方法，其中，沉积所述转印层的步骤包括沉积 小分子量材料。

16.如权利要求13所述的方法，其中，沉积所述第一缓冲层的步骤包括 通过旋转涂覆、滚动涂覆、浸渍涂覆、凹版涂覆或沉积来沉积。

17.如权利要求13所述的方法，其中，沉积所述第二缓冲层的步骤包括 通过旋转涂覆、滚动涂覆、浸渍涂覆、凹版涂覆或沉积来沉积。

18.如权利要求13所述的方法，其中，转印层包含发射主体材料和掺杂 剂。

19.如权利要求18所述的方法，其中，所述转印层的发射主体材料与所 述第一缓冲层和所述第二缓冲层的发射主体材料相同。