[发明专利]供体基底及利用其制造有机发光二极管显示器的方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于平板显示器的供体基底和利用其制造有机发光二极管显 示器的方法。更具体得讲，本发明涉及一种供体基底，该供体基底具有能够 防止由于失败的层转印(layer transfer)导致的装置基底图案化缺陷或将这种 缺陷最小化的结构。

背景技术

通常，有机发光二极管(OLED)显示器指具有阳极、阴极和置于阳极和 阴极之间的多个有机层的平板显示器。有机层可包括发射层、空穴注入层、 空穴传输层、电子传输层和电子注入层。发射层所使用的材料可决定OLED 显示器的类型，即聚合物OLED显示器或小分子量OLED显示器。对发射层 的处理可决定OLED显示器的功能性，比如对发射层进行的图案化可有助于 实现全彩有机发光二极管显示器。

传统的对OLED显示器进行的图案化可通过精细金属掩模(fine metal mask)、喷墨印刷和激光转写(laser induced thermal imaging，LITI)等来实现。 例如，LITI方法可有助于对OLED显示器进行的精细图案化，并提供与湿 式工艺(比如喷墨印刷)相对的OLED显示器图案化的干式工艺。传统的用 于形成OLED显示器的图案化的发射层的LITI方法会需要形成供体基底，该 供体基底具有基膜、光-热转化层和由有机材料形成的转印层，使得可通过利 用至少一个光源(比如激光)将转印层从供体基底转印到装置基底。

更具体地说，光可从光源发射至供体基底的光-热转化层的预定部分中， 并在该预定部分中转化为热能。接下来，热能可使光-热转化层的预定部分(即 光源照射的部分)中的粘合剂发生改变，使得转印层可与光-热转化层的预定 部分分离并附着到装置基底上。因此，转印层的一部分可附着到装置基底， 而转印层的另一部分可还保持与光-热转化层附着。因此，转印层能否成功进 行转印会取决于所用材料的粘附性和内聚性，比如供体基底的光-热转化层和 转印层之间的粘附力、转印层内的内聚力以及转印层和装置基底之间的粘附 力。

例如，如果光-热转化层和转印层之间的粘附力弱，则转印层可与光-热转 化层非常容易地分离，即转印层中意图与光-热转化层保持附着的部分也会与 光-热转化层分离，由此，在OLED显示器中造成缺陷。尤其是当转印层由表 现出不足的内聚力的小分子量材料形成时，则缺陷更经常发生。另一方面， 如果转印层和装置基底之间的粘附力太强，则转印层在转印过程中不会被转 印或会被撕破。

因此，需要一种能够以提高的效率将转印层转印到装置基底上的供体基 底。

发明内容

因此本发明提出了一种供体基底和一种利用其制造OLED显示器的方 法，本发明基本上克服了相关领域的一个或更多缺点。

因此本发明的特征在于提供了一种用于平板显示器的供体基底，该供体 基底能够防止转印层转印至装置基底的缺陷或使这种缺陷基本上最小化。

本发明的实施例的另一特征在于提供了通过利用供体基底来制造OLED 显示器的方法，其中，该供体基底能够防止通过LITI方法将转印层转印至装 置基底的缺陷或使这种缺陷基本上最小化。

本发明的上述和其他特征和优点中的至少一个可通过提供一种用于平板 显示器的供体基底来实现，其中，该供体基底包括基膜、位于基膜上的光-热 转化(LTHC)层、位于LTHC层上并包含发射主体材料(an emission host material)的第一缓冲层、位于第一缓冲层上的转印层、位于转印层上并包含 与第一缓冲层的发射主体材料相同的发射主体材料的第二缓冲层。该供体基 底还可包括位于LTHC层和第一缓冲层之间的夹层。

第一缓冲层可包含CBP、CBP衍生物、mCP、mCP衍生物或者螺类衍生 物。第一缓冲层可包含磷光主体材料。第一缓冲层可具有大约1nm至大约3nm 的厚度。

转印层可包括发射层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传 输层、空穴阻挡层和电子阻挡层中的至少一个。转印层可包括至少一个含有 小分子量材料的层。转印层可包含发射主体材料和掺杂剂，发射主体材料可 与第一缓冲层和第二缓冲层的发射主体材料相同。

第二缓冲层可包含CBP、CBP衍生物、mCP、mCP衍生物或者螺类衍生 物。第二缓冲层可包含磷光主体材料。第二缓冲层可具有大约1nm至大约3nm 的厚度。