[发明专利]多晶硅控制的回蚀刻显示器

权利要求书

1.一种位于半导体晶圆上的电子器件，其特征在于，所述半导体晶圆进一步包括：

一个包括有不同平面尺寸沟槽的回蚀刻显示器，所述沟槽中充填有多晶硅，其中，所述多晶硅已丛某些较大平面尺寸的沟槽中全部清除，而在一些较小平面尺寸的所述沟槽的底部部分中仍然保留有所述多晶硅。

2.根据权利要求1所述位于半导体晶圆上的电子器件，其特征在于，所述不同平面尺寸的沟槽进一步构成一组平面尺寸基本按照一个数学公式按次序增加的沟槽。

3.根据权利要求1所述位于半导体晶圆上的电子器件，其特征在于，所述不同平面尺寸的沟槽进一步构成一组沟槽，所述一组沟槽的平面尺寸按照所述沟槽排列中每下一个沟槽的平面尺寸基本翻番的数学公式按次序增加。

4.根据权利要求1所述位于半导体晶圆上的电子器件，其特征在于，所述不同平面尺寸的沟槽进一步构成一组沟槽，所述一组沟槽的平面尺寸按照所述沟槽排列中每下一个沟槽的平面尺寸均基本增加一个固定数量的数学公式按次序增加。

5.根据权利要求1所述位于半导体晶圆上的电子器件，其特征在于，所述不同平面尺寸的沟槽进一步构成一组基本呈方形的沟槽，所述一组方形沟槽的宽度和长度按次序增加。

6.根据权利要求1所述位于半导体晶圆上的电子器件，其特征在于，所述不同平面尺寸的沟槽进一步构成一组基本呈方形的沟槽，所述一组方形沟槽的宽度和长度基本按照一个数学公式按次序增加。

7.根据权利要求1所述位于半导体晶圆上的电子器件，其特征在于，所述不同平面尺寸的沟槽进一步构成一组基本呈方形的沟槽，每个所述沟槽的宽度和长度基本按照所述沟槽排列中每下一个沟槽的宽度和长度基本翻番的数学公式按次序增加。

8.根据权利要求1所述位于半导体晶圆上的电子器件，其特征在于，所述不同平面尺寸的沟槽进一步构成一组基本呈方形的沟槽，每个所述沟槽的宽度和长度基本按照所述沟槽排列中每下一个沟槽的宽度和长度均基本增加一个固定数量的数学公式按次序增加。

9.根据权利要求1所述位于半导体晶圆上的电子器件，其特征在于，进一步包括一个含有槽栅的半导体功率器件，所述槽栅具有与所述槽栅绝缘并位于所述槽栅之下的屏蔽栅槽。

10.根据权利要求1所述位于半导体晶圆上的电子器件，其特征在于，进一步包括一个金属氧化物半导体场效应晶体管器件，所述MOSFET器件包括一个槽栅，所述槽栅具有与所述槽栅绝缘并位于所述槽栅之下的屏蔽栅槽。

11.根据权利要求1所述位于半导体晶圆上的电子器件，其特征在于，所述多晶硅进一步包括一个掺杂的多晶硅。

12.一种位于半导体晶圆上的电子器件，其特征在于，所述半导体晶圆进一步包括：

一个包含有楔形细长沟槽的回蚀刻显示器。所述楔形细长沟槽的宽度逐渐减小，沟槽中充填有多晶硅，其中，所述多晶硅已从具有较大宽度的所述沟槽部分中全部清除，但在宽度较小的所述沟槽部分中仍然保留有所述多晶硅。

13.根据权利要求12所述的电子器件，其特征在于，所述楔形细长沟槽包括基本为细长三角形的沟槽。

14.根据权利要求12所述的电子器件，其特征在于，所述多晶硅进一步包括一个掺杂的多晶硅。

15.根据权利要求12所述的电子器件，其特征在于，所述楔形细长沟槽的宽度按照一个数学公式逐渐减小。

16.根据权利要求12所述位于半导体晶圆上的电子器件，其特征在于，进一步包括一个含有槽栅的半导体功率器件，所述槽栅具有与所述槽栅绝缘并位于所述槽栅之下的屏蔽栅槽。

17.根据权利要求12所述位于半导体晶圆上的电子器件，其特征在于，进一步包括一个金属氧化物半导体场效应晶体管器件，所述MOSFET器件包括一个槽栅，所述槽栅具有与所述槽栅绝缘并位于所述槽栅之下的屏蔽栅槽。