[发明专利]显示面板及其薄膜晶体管基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种显示面板及其薄膜晶体管基板的制造方法，且特别是 有关于一种薄膜晶体管基板的像素电极在最下层的显示面板，及最少能以三道 掩模完成其薄膜晶体管基板的制造方法。

背景技术

随着液晶显示面板(liquid crystal display panel，LCD panel)制造技术的发 展，其轻薄、省电及低辐射等优点逐渐使液晶显示面板被广泛应用于如液晶电 视及数码相机等各式电子产品中。而使用薄膜晶体管基板的液晶显示面板因为 其高亮度与大视角的特性，在高端电子产品上更是广受欢迎。传统的薄膜晶体 管基板及其制造方法在此附图说明如下。

请参照图1A～图1E，其是传统的薄膜晶体管基板的制程剖面图。在此以 单一像素中的部分剖面结构为例。首先，在图1A中执行第一道掩模制程，以 形成一栅极11于一底板10上。

接着，如图1B所示，执行第二道掩模制程，以依序形成一栅极绝缘层12、 一硅半导体层13例如非晶硅(amorphous silicon，a-Si)以及一接触层14例如 一磷掺杂N型(N+)半导体层于底板10之上。栅极绝缘层12覆盖栅极11， 硅半导体层13以对应于栅极11的方式覆盖部分的栅极绝缘层12，接触层14 形成于硅半导体层13之上。

然后，如图1C所示，执行第三道掩模制程，以形成一漏极16及一源极 19于栅极绝缘层12之上。漏极16及源极19以对应于接触层14的二端的方式 相互隔开地接触接触层14，并通过接触层14与硅半导体层13的二端电性接触。 栅极11、硅半导体层13、漏极16及源极19构成一薄膜晶体管15。

接着，如图1D所示，执行第四道掩模制程，以形成一保护层17于栅极绝 缘层12之上。保护层17覆盖硅半导体层13、漏极16及源极19，并具有一接 触孔(contact hole)20，接触孔20用以暴露部分的漏极16。

最后，如图1E所示，执行第五道掩模制程，以形成一像素电极18于部分 的保护层17之上。其中该像素电极18为一透明导电薄膜材料(transparent conductive oxide，TCO)如铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)、铟锌氧化物 (indium zinc oxide，IZO)等；像素电极18是借由接触孔20与漏极16电性接 触，至此，薄膜晶体管基板21终告完成。

上述传统的薄膜晶体管基板及其制造方法，共需要五道掩模制程方可完 成，连同应用于有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示面 板的薄膜晶体管基板亦是如此。因此，在降低制程成本的考量下实已不敷所求。 所以，如何减少掩模制程道数以大幅降低制程成本与缩短制程时间的技术，显 然为业界目前欲积极达成的目标及欲解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明就是在提供一种新颖的显示面板及其薄膜晶体管基板的 制造方法，可以较少道掩模制程完成薄膜晶体管基板，有效降低制程成本并缩 短制程时间。

根据本发明，提出一种显示面板，包括一基板及一薄膜晶体管基板，薄膜 晶体管基板与基板平行设置。薄膜晶体管基板包括一底材、一第一扫描线及一 第二扫描线、一第一数据线及一第二数据线、一薄膜晶体管以及一像素电极。 第一扫描线及第二扫描线分别设置于底材上，第一扫描线及第二扫描线各包括 一第一导电层及一第一金属层，第一导电层设置于底材上，第一金属层设置于 第一导电层上。第一数据线及第二数据线分别设置于底材之上，用以与第一扫 描线及第二扫描线垂直交错而定义出一像素。薄膜晶体管设置于像素中，用以 与第一扫描线及第一数据线耦接。像素电极设置于像素中，用以与薄膜晶体管 耦接，各第一导电层与像素电极的材料相同。

根据本发明，提出另一种显示面板，包括一基板及一薄膜晶体管基板，薄 膜晶体管基板与基板平行设置。薄膜晶体管基板包括一底材、一像素电极、一 绝缘层及一薄膜晶体管。像素电极设置于底材上并具有一第一端，绝缘层设置 于底材之上用以覆盖第一端，绝缘层具有一第一接触孔。薄膜晶体管包括一栅 极、一硅半导体层、一源极及一漏极。栅极设置于底材及绝缘层之间，硅半导 体层设置于部分的绝缘层上，硅半导体层并对应于栅极。源极及漏极设置于部 分的接触层之上，用以对应地与接触层接触，漏极通过第一接触孔与像素电极 耦接。