[发明专利]非易失半导体存储装置及其编程方法

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储装置的编程方法，包含下列步骤：

提供一位线电压来编程一群组的存储器存储单元；

检测该位线电压是否达到一选择目标电压值；

当该位线电压达到该选择目标电压值时，则对该群组的存储器存储单元执行编程的操作；以及

当该位线电压尚未达到该选择目标电压时，则编程的操作至少独立的执行于该群组内的一第一子群组的存储器存储单元以及该群组内的一第二子群组的存储器存储单元。

2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置的编程方法，其中，该存储器存储单元的群组是一字单元且该第一子群组以及该第二子群组分别为一字节单元。

3.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置的编程方法，更包含在该提供步骤之前的一输出编程命令的步骤，该编程命令触发该提供步骤，并在执行该检测步骤前等待一预定时间。

4.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置的编程方法，更包含在检测步骤前对该存储器存储单元群组编程的流程的开始步骤，且该独立执行编程步骤更包含下列步骤：

当对该第二子群组的存储器存储单元进行编程操作时，停止该第一子群组的存储器存储单元的编程操作；以及

在一预定期间后，停止该第二子群组的存储器存储单元的编程操作，并对该第一子群组的存储器存储单元进行编程操作。

5.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置的编程方法，更包含在当该位线电压达到或尚未达到该选择目标电压值时的编程步骤后均执行一编程验证的步骤。

6.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置的编程方法，其中，该提供步骤是利用一电荷泵电路来产生该位线电压。

7.一种非易失性半导体存储装置的编程电路，包含有：

一电压检测器，用于提供一表示用以编程一群组的存储器存储单元的一位线电压是否达到一选择目标电压的信号；以及

一控制器，用于根据该信号选择该编程操作对一群组单元内的该存储器存储单元以及一子群组单元内的该存储器存储单元进行中之一者进行。

8.根据权利要求7所述的非易失性半导体存储装置的编程电路，其中，当该位线电压达到该选择目标电压时，该控制器选择对于该群组单元内的该存储器存储单元进行编程。

9.根据权利要求7所述的非易失性半导体存储装置的编程电路，其中，当该位线电压尚未达到该选择目标电压时，该控制器选择对于该子群组单元内的该存储器存储单元进行编程。

10.根据权利要求9所述的非易失性半导体存储装置的编程电路，其中，该子群组单元分别在不同的时间独立的被编程。

11.根据权利要求9所述的非易失性半导体存储装置的编程电路，其中，该控制器先选择对该群组内的该存储器存储单元进行编程，直到该该位线电压被检测到尚未达到该选择目标电压为止。

12.根据权利要求7所述的非易失性半导体存储装置的编程电路，更包含一电压调整器，用以提供该位线电压。

13.根据权利要求12所述的非易失性半导体存储装置的编程电路，更包含一与该电压调整器耦接的电荷泵电路。

14.根据权利要求7所述的非易失性半导体存储装置的编程电路，其中，该群组单元内的存储器存储单元是字单元且该子群组单元内的存储器存储单元是字节单元。

15.根据权利要求7所述的非易失性半导体存储装置的编程电路，其中，该电压检测器包含有一比较器。

16.根据权利要求7所述的非易失性半导体存储装置的编程电路，其中，该控制器输出一控制信号，用以选择对应该群组单元以及该子群组单元的多个位线施加该位线电压。

17.根据权利要求7所述的非易失性半导体存储装置的编程电路，更包含有一与该群组存储器储器存储单元的多个位线耦接的解码电路，且该解码电路是在该控制器的控制之下选择对该多个位线施加该位线电压。

18.根据权利要求7所述的非易失性半导体存储装置的编程电路，其中，该控制器包含有一定时器，其输出一控制信号，用以在一预定时间触发该控制器检测电压检测器的输出。

19.一种非易失性半导体存储装置，包含有：

一电荷泵电路；

一电压调整器，与该电荷泵电路耦接，用以提供一位线编程电压；

一存储器阵列，包含有多个与若干字符线以及若干位线耦接的存储器存储单元；

一电压检测器，用于提供一表示用以编程一群组的存储器存储单元的一位线电压是否达到一选择目标电压的检测信号；

一控制器，用于根据该检测信号选择该编程操作在该位线电压达到该选择目标电压时，对一字单元内的该存储器存储单元进行以及在该位线电压尚未达到该选择目标电压时，对一字节单元内的该存储器存储单元进行；以及

一数据阶段切换器，用于在该控制器的控制之下传递该位线电压至该字单元以及该字节单元所对应的位线上。