[发明专利]金属布线形成方法、有源矩阵基板的制造方法、电子设备

权利要求书

1.一种金属布线形成方法，其特征在于，包括：

形成具有与第1膜图案对应的第1开口部、和宽度比所述第1膜图案窄且与所述第1膜图案连接的第2膜图案所对应的第2开口部的围堰的工序；

在所述第1开口部配置所述功能液的液滴，利用所述功能液的自流动将该功能液配置于所述第2开口部的A工序；和

使配置在所述第1开口部和所述第2开口部的所述功能液固化的B工序；

通过多次交替重复所述A工序和所述B工序，成膜所述第1膜图案和所述第2膜图案。

2.如权利要求1所述的金属布线形成方法，其特征在于，

所述围堰具有：相对于所述功能液具有亲液性的第1围堰层、和层叠在该第1围堰层上且相对于所述功能液具有疏液性的第2围堰层。

3.如权利要求1或者2所述的金属布线形成方法，其特征在于，

一次所述A工序中向所述第1开口部配置的液滴的量，在通过该配置使得所述功能液流入到所述第2开口部的情况下，是所述第1开口部的液位不高于所述第2开口部的液位的量。

4.一种器件，其特征在于，

通过在由设置于基板上的围堰所划分的布线形成区域涂敷功能液的液滴，使所涂敷的该功能液固化，形成金属布线，并形成了覆盖所述金属布线和上述围堰的绝缘膜而得到；

在所述围堰上设置有弯曲面，所述弯曲面形成于面对所述布线形成区域的侧面和上面之间，与所述金属布线的表面的交差角度根据所述绝缘膜的绝缘特性而设定。

5.如权利要求4所述的器件，其特征在于，

所述弯曲面以45°以下的角度与所述金属布线的表面交差。

6.如权利要求4或者5所述的器件，其特征在于，

所述金属布线通过反复多次涂敷和固化所述功能液而成膜。

7.如权利要求4～6中任意一项所述的器件，其特征在于，

所述围堰具有：相对于所述功能液具有亲液性的第1围堰层、和层叠在该第1围堰层上且相对于所述功能液具有疏液性的第2围堰层。

8.一种电光学装置，其特征在于，

具备权利要求4～7中任意一项所述的器件。

9.一种电子设备，其特征在于，

具备权利要求8所述的电光学装置。

10.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成栅极布线的第1工序、

在所述栅极布线上形成栅极绝缘膜的第2工序、

隔着所述栅极绝缘膜层叠半导体层的第3工序、

在所述栅极绝缘膜之上形成源电极和漏电极的第4工序、

在所述源电极和所述漏电极上配置绝缘材料的第5工序、和

配置了所述绝缘材料之后形成像素电极的第6工序，

在所述第1工序和所述第4工序及所述第6工序的至少一个工序中，使用权利要求1～3中任意一项所述的金属布线形成方法。

11.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成源电极和漏电极的第1工序、

在所述源电极和漏电极上形成半导体层的第2工序、

在所述半导体层之上隔着栅极绝缘膜形成栅电极的第3工序、和

形成与所述漏电极连接的像素电极的第4工序，

在所述第1工序和所述第3工序及所述第4工序的至少一个工序中，使用权利要求1～3中任意一项所述的金属布线形成方法。

12.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成半导体层的第1工序；

在所述半导体层上隔着栅极绝缘膜形成栅电极的第2工序；

形成通过在所述栅极绝缘膜上形成的接触孔与所述半导体层的源极区域连接的源电极、和与所述半导体层的漏极区域连接的漏电极的第3工序；和

形成与所述漏电极连接的像素电极的第4工序；

在所述第2工序和所述第3工序及所述第4工序的至少一个工序中，使用权利要求1～3中任意一项所述的金属布线形成方法。