[发明专利]金属布线形成方法、有源矩阵基板的制造方法、电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及金属布线形成方法、有源矩阵基板的制造方法、器件和电光学装置以及电子设备。

背景技术

作为形成在电路或集成电路等中使用的由规定图案构成的布线等的方法，例如，光刻法正被广泛利用。该光刻法需要真空装置、曝光装置等大规模的设备。此外，为了利用上述装置形成由规定图案构成的布线等，需要复杂的工序，而且材料使用效率也为几％程度，不得不废弃掉其几乎全部，存在着制造成本高的课题。

针对此，提出了使用从液体喷头以液滴状喷出液体材料的液滴喷出法、即所谓喷墨法在基板上形成由规定图案构成的布线等的方法(例如，参考专利文献1、专利文献2)。利用该喷墨法，在基板上直接将图案用的液体材料(功能液)配置成图案，随后进行热处理或激光照射，形成需要的图案。因此，通过该方法不需要光刻工序，在大幅度简化工艺的同时，可以将原材料直接配置在图案位置，因此，具有还可以削减使用量的优点。

然而，近年来，构成器件的电路的高密度化在不断进展，例如要求布线具有更好的微细化、细线化。但是，在使用上述的液滴喷出法的图案形成方法中，由于喷出的液滴在弹落后在基板上展开，所以难以稳定形成微细的图案。特别是在将图案作为导电膜的情况下，因为上述的液滴的展开，会发生液体储留(鼓包：bulge)，这可能成为断线或短路等不良情况发生的原因。因此，提出了使用具有宽度较宽的布线形成区域、和与该布线形成区域连接形成的微细的布线形成区域的围堰结构的技术(例如，参照专利文献3)。该技术是向宽度较宽的布线形成区域喷出功能液，利用毛细管现象向微细的布线形成区域流入功能液，形成微细的布线图案。

专利文献1：特开平11-274671号公报

专利文献2：特开2000-216330号公报

专利文献3：特开2005-12181号公报

但是，在如上所述的以往技术中存在以下的问题。

难以在微细的布线形成区域均匀地流入功能液，结果，有可能在微细的布线部分产生膜厚不均。

具体而言，由于微细的布线形成区域中的与宽度大的布线形成区域的连接部附近，容易传递来自宽度大的布线形成区域中的功能液的压力(液压)，所以相对于膜厚增大，微细的布线形成区域的前端部难以传递压力，所以膜厚减小。特别是在涂敷多滴功能液的液滴并使其流入而成膜布线时，膜厚之差有增大的趋势。

在将该技术用于形成栅电极时，在栅电极上形成的TFT元件的特性被栅极绝缘膜的平坦性所左右，而且，栅极绝缘膜的平坦性受到栅电极的平坦性的影响，因此，难以得到稳定的晶体管特性。另外，当跨过围堰和栅电极使栅极绝缘膜成膜时，在栅电极中的阶梯差较大或平坦度低的情况下，容易诱发绝缘击穿，有可能无法得到TFT特性。

发明内容

本发明正是考虑了上述各点而完成的发明，其目的在于，提供可以抑制平坦度的降低来体现规定的特性的金属布线形成方法、有源矩阵基板的制造方法、器件和电光学装置以及电子设备。

为了实现上述的目的，本发明采用以下的构成。

本发明的金属布线形成方法，其特征在于，包括：

形成具有与第1膜图案对应的第1开口部、和宽度比上述第1膜图案宽度窄且与上述第1膜图案连接的第2膜图案所对应的第2开口部的围堰的工序；在上述第1开口部配置上述功能液的液滴，通过上述功能液的自流动将该功能液配置于上述第2开口部的A工序；和使配置在上述第1开口部和上述第2开口部的上述功能液固化的B工序；

通过将上述A工序和上述B工序交替重复数次，成膜上述第1膜图案和上述第2膜图案。

因此，在本发明的金属布线形成方法中，与一次涂敷多个液滴，从第1开口部的功能液施加给第2开口部的功能液的压力增大，使得第1膜图案和第2膜图案的阶梯差(膜厚差)增大相比，通过每当涂敷一滴功能液的液滴时就使其固化，可以减少阶梯差。因此，对每次涂敷的液滴反复固化数次，由此可以多次层叠阶梯差少的膜而得到平坦性出色的金属布线。

而且，优选上述围堰的特征是：具有对上述功能液显示亲液性的第1围堰层、和层叠在该第1围堰层上且对上述功能液显示疏液性的第2围堰层。

由此，利用本发明的金属布线形成方法，即便在涂敷功能液时，功能液的液滴漫到围堰上面的第2围堰层的情况下，功能液也会被弹开，引导至布线形成区域。而且，在本发明中，由于第1围堰层具有亲液性，所以功能液相对第1围堰层会很好地润湿，可以沿着第1围堰层容易地将功能液润湿展开。

另外，就一次上述A工序中向上述第1开口部配置液滴的量而言，当通过该配置使上述功能液流动到上述第2开口部的情况下，是上述第1开口部的液位不高于上述第2开口部的液位的量。