[发明专利]半导体存储器及其测试方法

权利要求书

1.一种半导体存储器，其操作模式可从外部设置，该存储器包括：

多个寄存器，用于为该半导体存储器保存操作模式信息；

寄存器控制电路，用于在以预定顺序检测到写入命令或读取命令时，以时分方式为所述多个寄存器中的每一个更新操作模式信息，所述写入命令用以向寄存器的存取地址进行写入，所述读取命令用以从寄存器的存取地址进行读取；

命令生成部，用于响应于从外部输入的控制信号，生成所述写入命令、所述读取命令、或者不出现写入操作或读取操作的测试开始命令，以及用于在所述多个寄存器每次更新时再次生成该测试开始命令；以及

数据板压缩电路，用于根据代码将输入至部分数据板的测试数据反相后的数据或测试数据的原始状态用作其余数据板的数据，改变将被写入至所述多个寄存器的操作模式信息，所述代码由在发送该测试开始命令时输入的部分地址表示。

2.如权利要求1所述的半导体存储器，其中在生成该测试开始命令时，时钟信号停止输入至该命令生成部。

3.如权利要求1所述的半导体存储器，其中所述操作模式信息为该半导体存储器的局部大小、脉冲长度或读取等待时间。

4.一种半导体存储器，其操作模式可从外部设置，该存储器包括：

多个寄存器，用于为该半导体存储器保存操作模式信息；

命令生成部，用于响应于从外部输入的控制信号，生成测试开始命令；

数据板压缩电路，用于根据代码将输入至部分数据板的测试数据反相后的数据或测试数据的原始状态用作其余数据板的数据，生成将被写入至所述多个寄存器的操作模式信息，所述代码由在发送该测试开始命令时输入的部分地址表示；

屏蔽控制电路，用于生成屏蔽信号，通过该屏蔽信号，在更新所述操作模式信息时，只允许更新所述多个寄存器中未更新的寄存器内的操作模式信息，而跳过所述多个寄存器中其余寄存器内的操作模式信息的更新；以及

寄存器控制电路，用于执行更新过程，在该更新过程中，在以预定顺序检测到写入命令或读取命令时，跳过由该屏蔽信号指定的其余寄存器内的操作模式信息的更新，而将根据所述代码生成的操作模式信息写入到由该屏蔽信号允许的未更新的寄存器中，所述写入命令用以向寄存器的存取地址进行写入，所述读取命令用以从寄存器的存取地址进行读取；

其中：

如果在更新过程之后所述多个寄存器中还有未更新的寄存器，则该命令生成部再次生成测试开始命令；

该数据板压缩电路输入另一代码，并改变所述操作模式信息；以及

该寄存器控制电路利用改变的操作模式信息执行该更新过程。

5.如权利要求4所述的半导体存储器，其中所述操作模式信息为该半导体存储器的局部大小、脉冲长度或读取等待时间。

6.一种半导体存储器的测试方法，该半导体存储器的操作模式可从外部设置，该方法包括以下步骤：

响应于来自该半导体存储器外部的控制信号，生成不出现写入操作或读取操作的测试开始命令；

用于根据代码将输入至部分数据板的测试数据反相后的数据或测试数据的原始状态用作其余数据板的数据，生成操作模式信息，所述代码由在发送该测试开始命令时输入的部分地址表示；

在以预定顺序检测到写入命令或读取命令时，以时分方式将根据代码生成的操作模式信息写入到多个寄存器中的每个寄存器，所述写入命令用以向寄存器的存取地址进行写入，所述读取命令用以从寄存器的存取地址进行读取；以及

在所述多个寄存器内的操作模式信息每次更新时，通过输入另一代码，再次生成测试开始命令，并生成将被设置于所述多个寄存器中接下来将更新的寄存器中的操作模式信息。

7.如权利要求6所述的方法，其中在生成该测试开始命令时，时钟信号停止。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述操作模式信息为该半导体存储器的局部大小、脉冲长度或读取等待时间。