[发明专利]制造半导体器件的方法无效
申请号: | 200710103734.2 | 申请日: | 2007-05-22 |
公开(公告)号: | CN101174584A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 金载宪 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 顾晋伟;刘继富 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:
在包括限定有源区的隔离层的半导体衬底上形成第一隔离物;
除去部分所述第一隔离物以暴露部分所述有源区;
蚀刻所述暴露的有源区以形成第一凹陷;
除去所述第一隔离物;
在包括所述凹陷的表面上形成隧道氧化物层和导电层;
在包括所述导电层的所述表面上形成第二隔离物;
除去部分所述第二隔离物以暴露部分所述导电层;
蚀刻所述暴露的导电层以形成第二凹陷;
除去所述第二隔离物;和
在所述导电层上形成介电层和控制栅。
2.根据权利要求1的方法,其中所述第一隔离物形成为一定厚度,在所述厚度下所述隔离层的形状保持完好且不完全填充由所述隔离层限定的空间。
3.根据权利要求1的方法,其中所述第一隔离物由氮化物层形成。
4.根据权利要求3的方法,其中当除去部分所述第一隔离物时,实施蚀刻氮化物层比蚀刻硅材料更快的蚀刻过程。
5.根据权利要求4的方法,其中利用CXFY、O2和Ar的混合气体来实施所述蚀刻过程。
6.根据权利要求1的方法,其中所述第一凹陷通过实施蚀刻硅材料比蚀刻氮化物层或氧化物层更快的蚀刻过程而形成。
7.根据权利要求6的方法,其中使用Cl2和HBr的混合气体来实施所述蚀刻过程。
8.根据权利要求1的方法,其中使用NH4和HF的混合溶液、或H3PO4溶液通过湿蚀刻除去所述第一隔离物。
9.根据权利要求1的方法,其中所述第二隔离物形成为一定厚度,在所述厚度下所述隔离层的形状保持完好且不完全填充由所述隔离层限定的空间。
10.根据权利要求1的方法,其中所述第二隔离物由氧化物层形成。
11.根据权利要求10的方法,其中所述第二凹陷通过实施蚀刻硅材料比蚀刻氮化物层或氧化物层更快的蚀刻过程而形成。
12.根据权利要求11的方法,其中利用Cl2和HBr的混合气体来实施所述蚀刻过程。
13.根据权利要求1的方法,其中所述第二隔离物通过蚀刻过程被除去,所述隔离层的顶面也通过所述蚀刻过程被除去。
14.根据权利要求13的方法,其中利用NH4F溶液和HF溶液的混合溶液、或H2SO4溶液和H2O2溶液的混合溶液来实施所述蚀刻过程。
15.根据权利要求1的方法,其中所述导电层包括多晶硅。
16.根据权利要求1的方法,其中所述导电层的顶面的高度低于所述隔离层的顶面。
17.根据权利要求1的方法,其中使用所述第一隔离物作为蚀刻掩模来蚀刻所述暴露的有源区。
18.根据权利要求1的方法,其中利用所述第二隔离物作为蚀刻掩模来蚀刻所述暴露的导电层。
19.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:
在包括限定有源区的隔离层的半导体衬底上形成第一隔离物;
除去部分所述第一隔离物以暴露部分所述有源区;
蚀刻所述暴露的有源区以形成第一凹陷;
在包括所述凹陷的表面上形成隧道氧化物层和导电层;
在包括所述导电层的所述表面上形成第二隔离物;
除去部分所述第二隔离物以暴露部分所述导电层;
蚀刻所述暴露的导电层以形成第二凹陷;
在所述导电层上形成第三隔离物;
除去部分所述第三隔离物以暴露部分所述隔离层;
蚀刻所述暴露的隔离层以形成第三凹陷;和
在所述导电层上形成介电层和控制栅。
20.根据权利要求19的方法,其中所述第三隔离物由氮化物层形成。
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