[发明专利]自对准器件接触的方法和结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上的至少两个栅电极；

与每个所述栅电极邻接的侧壁隔离物；

在所述栅电极之间的所述半导体衬底上的硅化物区域；以及

在所述硅化物区域上的接触，

其中所述接触包括在所述硅化物区域上的下部和在所述下部上的上部，所述下部在所述侧壁隔离物之间延伸并沿着所述侧壁隔离物的轮廓，以及

其中所述自对准的下部包括与所述硅化物区域邻接的底面和与所述上部邻接的顶面，以及

其中所述上部比所述顶面窄。

2.根据权利要求1的半导体结构，其中所述侧壁隔离物是锥形的。

3.根据权利要求1的半导体结构，其中所述顶面比所述底面宽。

4.根据权利要求1的半导体结构，还包括在所述栅电极和所述自对准的下部上方的介电层，其中所述上部穿过所述介电层延伸至所述下部。

5.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上的至少两个栅电极；

与每个所述栅电极邻接的侧壁隔离物；

在所述栅电极之间的所述半导体衬底上的硅化物区域；

在所述硅化物区域上的接触，

其中所述接触包括在所述硅化物区域上的下部和在所述下部上的上部，所述下部在所述侧壁隔离物之间延伸并沿着所述侧壁隔离物的轮廓，

其中所述下部包括与所述硅化物区域邻接的底面和与所述上部邻接的顶面，以及

其中所述上部比所述顶面窄；以及

在所述栅电极和所述下部之上的应力层，其中所述上部穿过所述应力层延伸至所述下部。

6.根据权利要求5的半导体结构，其中所述侧壁隔离物是锥形的。

7.根据权利要求5的半导体结构，其中所述顶面比所述底面宽。

8.根据权利要求5的半导体结构，其中所述应力层包括压缩氮化物层、拉伸氮化物层和双应变氮化物层中的一种。

9.根据权利要求5的半导体结构，还包括在所述应力层之上的介电层，其中所述上部还穿过所述介电层和所述应力层延伸至所述下部。

10.一种形成半导体结构的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上形成被间隙分隔的至少两个栅电极；

与所述栅电极邻接地形成侧壁隔离物；

在所述栅电极之间的所述半导体衬底上形成硅化物区域；

在所述间隙中与所述侧壁隔离物邻接地形成牺牲部分；

在所述栅电极和所述牺牲部分之上形成介电层；

穿过所述介电层将接触孔蚀刻至所述牺牲部分；

选择性地去除所述牺牲部分，以形成空腔并暴露所述硅化物区域；以及

向所述空腔和所述接触孔中淀积导电材料，以便形成这样的接触，所述接触具有在所述栅电极之间的在所述硅化物区域上的下部和在所述下部上方的在所述接触孔内的上部。

11.根据权利要求10的方法，其中所述牺牲部分的所述形成包括在随后将要形成所述接触的所述硅化物区域上的预选的位置中形成所述牺牲部分。

12.根据权利要求10的方法，其中所述牺牲部分的所述形成包括以下步骤：

用牺牲材料填充在所述栅电极之间的所述间隙，以使所述牺牲材料不在所述栅电极上方延伸；以及

构图所述牺牲材料，以使所述牺牲部分在所述侧壁隔离物之间延伸并垂直于所述栅电极，并且与所述牺牲部分邻接地暴露所述半导体衬底的部分。

13.根据权利要求10的方法，其中用低k介电材料形成所述牺牲部分，其中k小于3.0。

14.根据权利要求10的方法，其中在所述蚀刻之前，构图所述接触孔，以使所述接触孔比所述牺牲部分窄。

15.根据权利要去10的方法，其中所述侧壁隔离物的所述形成包括形成锥形的侧壁隔离物，以便随后将所述接触的所述下部形成为顶面比底面宽。