[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，该半导体器件包括半导体衬底上的第一区、第二区以及环形第三区，所述第一区中形成第一晶体管，所述第一晶体管包括具有浮栅和控制栅的叠层结构的第一栅极，所述第二区中形成第二晶体管，所述第二晶体管包括单层结构的第二栅极，所述环形第三区位于所述第一区与所述第二区之间的边界部分，所述方法包括以下步骤：

在所述半导体衬底的第一区、第二区以及第三区上方形成第一导电膜；

除去所述第二区中的第一导电膜，同时将所述第一区和所述第三区中的第一导电膜图案化，使得所述第一导电膜的外部边缘位于所述第三区中；

在所述半导体衬底的第一区中，形成覆盖所述第一导电膜的第一绝缘膜；

在所述半导体衬底的第一区、第二区以及第三区上方形成第二导电膜；

将所述第二导电膜图案化，以在所述第一区中形成所述第二导电膜构成的控制栅，同时保留所述第二导电膜，使得所述第二导电膜覆盖所述第二区并且位于所述第三区中，所述第二导电膜的内部边缘位于所述外部边缘的内侧；

将所述第一区中的第一绝缘膜和第一导电膜图案化，以形成所述第一导电膜构成的浮栅；以及

将所述第二区中的第二导电膜图案化，以在所述第二区中形成所述第二导电膜构成的第二栅极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中：

在除去所述第二区中的第一导电膜，同时将所述第一区和所述第三区中的第一导电膜图案化的步骤中，形成具有沿所述第一区的边缘的环形图案的第一导电膜。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中：

所述控制栅延伸至形成所述环形图案的区域。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，还包括以下步骤：

在所述第一晶体管上方形成第二绝缘膜；以及

在所述第二绝缘膜中形成向下达到所述控制栅的接触孔；

其中，在形成所述接触孔的步骤中，将所述接触孔形成于在所述控制栅下方不形成所述第一导电膜的区域中。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，还包括以下步骤：

在所述第一晶体管上方形成第二绝缘膜；以及

在所述第二绝缘膜中形成向下达到所述控制栅的接触孔；

其中，在形成所述接触孔的步骤中，将该所述接触孔形成于在所述控制栅下方形成所述第一导电膜的区域中。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在形成所述第一导电膜的步骤之前还包括以下步骤：

在所述第一区和所述第二区中形成用于定义器件区的器件隔离绝缘膜。

7.一种半导体器件，在半导体衬底上包括：第一区，其中形成第一晶体管，所述第一晶体管包括叠层栅极结构的第一栅极，所述第一栅极具有第一导电膜构成的浮栅和第二导电膜构成的控制栅；第二区，围绕所述第一区设置，在所述第二区中形成第二晶体管，所述第二晶体管包括所述第二导电膜构成的单层结构的第二栅极；以及环形第三区，位于所述第一区与所述第二区之间的边界部分中，

所述第三区中形成有所述第一导电膜的图案。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：

形成于所述第三区中的所述图案是围绕所述第一区的环形图案。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：

绝缘膜，形成于所述第一晶体管上方，并具有向下达到所述控制栅的接触孔；以及

形成所述第一导电膜的区域，位于所述控制栅下方并比所述接触孔更接近所述第三区。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：

绝缘膜，形成于所述第一晶体管上方，并具有向下达到所述控制栅的接触孔；

所述第一导电膜在形成所述接触孔的区域中延伸。