[发明专利]固体电解质及其制造方法有效
申请号: | 200710103948.X | 申请日: | 2007-05-15 |
公开(公告)号: | CN101075500A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 太田进启 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | H01G9/025 | 分类号: | H01G9/025;C23C16/44;C23C16/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 封新琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 电解质 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造固体电解质的方法,其包括:
第一步,通过气相沉积法,在基质材料上形成固体电解质前体,其含有x原子%的锂、y原子%的磷、z原子%的硫和w原子%的氧,所述x、y、z和w满足以下表达式(1)-(5):
20≤x≤45 ...(1)
10≤y≤20 ...(2)
35≤z≤60 ...(3)
1≤w≤10 ...(4)
x+y+z+w=100...(5);以及
第二步,通过加热所述固体电解质前体,使所述固体电解质前体形成为固体电解质,该固体电解质是这样的,即在利用Cu的Kα射线通过X射线衍射法所测得的X射线衍射图中,X射线衍射峰的顶点分别位于所述X射线衍射图中以下的衍射角2θ:16.7°±0.25°、20.4°±0.25°、23.8°±0.25°、25.9°±0.25°、29.4°±0.25°、30.4°±0.25°、31.7°±0.25°、33.5°±0.25°、41.5°±0.25°、43.7°±0.25°和51.2°±0.25°,以及各所述X射线衍射峰的半宽均在0.5°以下,
其中所述第二步是在所述固体电解质前体形成时和/或形成之后,将所述固体电解质前体加热到高于200℃且低于其玻璃态转化温度的温度的步骤。
2.根据权利要求1的制造固体电解质的方法,其中将所述固体电解质前体加热到高于200℃且250℃以下的温度。
3.根据权利要求1或2的方法制备的固体电解质,其含有x原子%的锂、y原子%的磷、z原子%的硫和w原子%的氧,其中
所述x、y、z和w满足以下表达式(1)-(5):
20≤x≤45 ...(1)
10≤y≤20 ...(2)
35≤z≤60 ...(3)
1≤w≤10 ...(4)
x+y+z+w=100 ...(5),并且
在利用Cu的Kα射线通过X射线衍射法所测得的X射线衍射图中,X射线衍射峰的顶点分别位于所述X射线衍射图中的以下衍射角2θ:16.7°±0.25°、20.4°±0.25°、23.8°±0.25°、25.9°±0.25°、29.4°±0.25°、30.4°±0.25°、31.7°±0.25°、33.5°±0.25°、41.5°±0.25°、43.7°±0.25°和51.2°±0.25°,以及各所述X射线衍射峰的半宽均在0.5°以下。
4.根据权利要求3的固体电解质,其中25℃时离子电导率为至少1×10-3S/cm。
5.根据权利要求3的固体电解质,其具有35kJ/mol以下的活化能。
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