[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 200710103973.8 | 申请日: | 2007-05-17 |
公开(公告)号: | CN101075614A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 胜木信幸;二阶堂裕文;小林道弘;川胜康弘 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/11;H01L23/528;H01L23/552 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
内部层,包括内部单元线,该内部单元线与形成在布图单元中的晶体管节点相连;
第一电源线,用于将预定电压提供给布图单元;
输入/输出线,其与布图单元中的晶体管的输入/输出端相连;以及
屏蔽线,其被放置在内部层与输入/输出线之间,以便覆盖内部层和第一电源线。
2.根据权利要求1的半导体装置,其中
与和布图单元的沿着第二方向的外围最接近的下述端部相比,屏蔽线在第一方向上的端部被放置在布图单元的较外部,上述端部是从第一电源线的端部和内部单元线的端部中选出的,以及
与和布图单元的沿着第一方向的外围最接近的内部单元线的端部相比,屏蔽线在第二方向上的端部被放置在布图单元的较外部。
3.根据权利要求1的半导体装置,其中
与和布图单元的沿着第二方向的外围最接近的下述端部相比,屏蔽线在第一方向上的端部被放置在布图单元的较外部,上述端部是从第一电源线的端部和内部单元线的端部中的与布图单元的沿着第二方向的外围最接近的端部,以及与布图单元的沿着第二方向的外围最接近的、放置在布图单元上面的输入/输入出线的端部选出来的;以及
与和布图单元的沿着第一方向的外围最接近的内部单元线的端部相比,屏蔽线在第二方向上的端部被放置在布图单元的较外部。
4.根据权利要求1的半导体装置,其中
与和布图单元的沿着第一方向的外围最接近的下述端部相比,和布图单元的沿着第二方向的外围最接近的、放置在布图单元上面的输入/输出线的端部,被放置在布图单元的较内部,上述端部是从屏蔽线在第一方向上的端部、第一电源线的端部以及内部单元线的端部中选出的。
5.根据权利要求2的半导体装置,其中
第一方向为第一电源线的纵向方向,并且第二方向与第一方向基本垂直。
6.根据权利要求3的半导体装置,其中
第一方向为第一电源线的纵向方向,并且第二方向与第一方向基本垂直。
7.根据权利要求4的半导体装置,其中
第一方向为第一电源线的纵向方向,并且第二方向与第一方向基本垂直。
8.根据权利要求1的半导体装置,其中
布图单元进一步包括第二电源线,用于将第二电源提供给布图单元中的晶体管,并且与第二电源线平行布置的内部单元线以及第一电源线被放置在第二电源线之间的区域中。
9.根据权利要求1的半导体装置,其中
布图单元包括至少一个静态随机存取存储器(SRAM)单元。
10.根据权利要求9的半导体装置,其中
屏蔽线为附加电容器的电极,其中该附加电容器与SRAM单元的交叉耦合节点和第一电源线相连。
11.根据权利要求1的半导体装置,其中
多个布图单元被布置为通过抽头区域彼此相邻,在该抽头区域中放置有用于将电源提供给多个布图单元的全局电源线。
12.一种半导体器件,包括:
布图单元中形成的多个晶体管;
布置在所述布图单元中的内部层,用于在其间连接所述晶体管;
布置在所述布图单元中的第一电源线,用于将电压提供给布图单元中的晶体管;
布置在所述布图单元中的所述内部层上的导线,用于将电压提供给晶体管;以及
放置在内部层与导线之间的屏蔽线,以便覆盖内部层和第一电源线,
所述屏蔽线从第一电源线的边缘伸出。
13.一种半导体器件,包括:
第一布图单元;
通过抽头区域与所述第一布图单元相邻的第二布图单元;
不通过任何抽头区域与所述第二布图单元相邻的第三布图单元;
其中每个所述布图单元具有,
晶体管;以及
电源线,其与第一至第三布图单元的相应布图单元中的晶体管耦合;
在抽头区域上形成的层,用于连接第一布图单元中的第一电源线与第二布图单元中的第一电源线;以及
屏蔽线,其不仅覆盖第一、第二以及第三布图单元中的第一电源线,而且还覆盖抽头区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的